MJD112_集成电路资料查询网

2003. 3. 27 2/2
mjd112/l
修订 非 : 4
饱和 电压
ce(sat)
集电级 电流 i      (一个)
C
v           ,v           -  i
h       -  i
C
集电级 电流 i      (一个)
0.01 0.03 0.1 0.3
FE
直流 电流 增益  h
p     -  ta
C
情况 温度 ta (  c)
0
C
0
电源 消耗 p     (w)
50 100 150 200
5
10
15
20
25
FE C
135
100
300
500
1k
3k
5k
10k
v     =3v
CE
ce(sat) C
v            , v             (v)
0.1
0.5
0.3
0.030.01 0.1
1
3
0.3 1 3 5
10
i   /i   =250
5
C
V
是(sat)
V
ce(sat)
B
是(sat)
是(sat)
100
10
200
503031
集电级-根基 电压 v       (v)
CB
CBob
c      - v
电容 c      (pf)
ob
510
30
50
f=0.1mhz
集电级-发射级 电压 v       (v)
safe 运行 范围
集电级 电流 i     (一个)
1
0.01
C
CE
3 10 30 100 200
0.03
0.05
0.1
0.3
0.5
1
3
5
10
单独的 nonrepetive
脉冲波 tc=25  c
曲线 必须 是 dreated
成直线地 和 增加
在 温度
*
i     最大值.(搏动) *
C
i     最大值
(持续的)
C
直流 运作
100
µ
S*
1
mS*
5mS*
tc=25  c
tc=25  c
ta=25  c
1
2
1
2

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2003. 3. 27 2/2 mjd112/l 修订非 : 4 饱和电压 ce(sat) 集电级电流 i (一个) C v ,v - i h - i C 集电级电流 i (一个) 0.01 0.03 0.1 0.3 FE 直流电流增益 h p - ta C 情况温度 ta ( c) 0 C 0 电源消耗 p (w) 50 100 150 200 5 10 15 20 25 FE C 135 100 300 500 1k 3k 5k 10k v =3v CE ce(sat) C v , v (v) 0.1 0.5 0.3 0.030.01 0.1 1 3 0.3 1 3 5 10 i /i =250 5 C V 是(sat) V ce(sat) B 是(sat) 是(sat) 100 10 200 503031 集电级-根基电压 v (v) CB CBob c - v 电容 c (pf) ob 510 30 50 f=0.1mhz 集电级-发射级电压 v (v) safe 运行范围集电级电流 i (一个) 1 0.01 C CE 3 10 30 100 200 0.03 0.05 0.1 0.3 0.5 1 3 5 10 单独的 nonrepetive 脉冲波 tc=25 c 曲线必须是 dreated 成直线地和增加在温度 * i 最大值.(搏动) * C i 最大值 (持续的) C 直流运作 100 µ S* 1 mS* 5mS* tc=25 c tc=25 c ta=25 c 1 2 1 2

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