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资料编号:482390
 
资料名称:MJD117
 
文件大小: 394.75K
   
说明
 
介绍:
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)
 
 


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2003. 3. 27 2/2
mjd117/l
修订 非 : 4
饱和 电压
ce(sat)
集电级 电流 i (一个)
C
v , v - i
ce(sat) C
v , v (v)
-0.1
-0.5
-0.3
-0.03-0.01 -0.1
-1
-3
-0.3 -1 -3 -5
-10
i /i =250
-5
C
V
是(sat)
V
ce(sat)
B
是(sat)
是(sat)
集电级-根基 电压 v (v)
CB
CBob
c - v
电容 c (pf)
ob
100
直流 电流 增益 h
50
FE
-0.3-0.1-0.03-0.01
集电级 电流 i (毫安)
C
h - i
FE C
-1 -3 -5
300
500
1k
3k
5k
v =-3v
CE
-0.1 -0.3 -1 -3 -10 -30 -50
10
30
50
100
300
500
p - ta
C
情况 温度 ta ( c)
0
C
0
电源 消耗 p (w)
50 100 150 200
5
10
15
20
25
集电级-发射级 电压 v (v)
safe 运行 范围
集电级 电流 i (一个)
-1
-0.01
C
CE
-3 -10 -30 -100 -200
-0.03
-0.05
-0.1
-0.3
-0.5
-1
-3
-5
-10
单独的 nonrepetive
脉冲波 tc=25 c
曲线 必须 是 dreated
成直线地 和 增加
在 温度
*
i 最大值.(搏动) *
C
i 最大值
(持续的)
C
直流 运作
100
µ
S*
500
µ
S*
1mS*
5mS*
tc=25 c
tc=25 c
ta=25 c
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