mkp1v120 序列
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3
+ 电流
+ 电压
V
TM
I
H
标识 参数
I
DRM
止 状态 泄漏 电流
V
DRM
止 状态 repetitive blocking 电压
V
BO
breakover 电压
I
BO
breakover 电流
I
H
支持 电流
V
TM
在 状态 电压
I
TM
顶峰 在 状态 电流
电压 电流 典型的 的 sidac
V
DRM
I
DRM
I
TM
斜度 = r
S
V
(bo)
R
S
(v
(bo)
–V
S
)
(i
S
–I
(bo)
)
I
(bo)
I
S
V
S
(双向的 设备)
0.80
I
t(rms)
, on−state 电流 (放大器)
140
120
40
T
一个
, 最大 包围的 温度 (
°
c)
0.4
2.0 3.00
V
T
, instantaneous on−state 电压 (伏特)
0.3
0.5
0.2
0.1
1.0
T
4.0
0.2
0.6
I
100
0.7
1.0
130
, 最大 容许的 含铅的 温度 ( c)
L
1000
1.0
0.6
0.2
40
I
20
60
0.4
0.8
, on−state 电流 (放大器)
t(rms)
0.2 0.60
I
t(rms)
, on−state 电流 (放大器)
0.50
0.75
0.25
0.4 0.8
P
1.00
1.25
T
J
= 25
°
C
传导 角度 = 180
°
C
1.61.2
1.0
1.4 2.01.8
110
90
80
60
70
50
°
80 120 140
5.0
3.0
5.0
2.0
7.0
10
, instantaneous on−state 电流 (放大器)
T
1.0
, 电源 消耗 (watts)
RMS
T
J
= 25
°
C
125
°
C
T
J
= 125
°
C
sine 波
传导 角度 = 180
°
C
聚集 在 pcb
含铅的 长度 =
3
/
8
″
T
J
= 125
°
C
sine 波
传导 角度 = 180
°
C
T
L
3
/
8
″
3
/
8
″
图示 1. 最大 含铅的 温度
图示 2. 最大 包围的 温度
图示 3. 典型 on−state 电压
图示 4. 典型 电源 消耗
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