4
I
F
–
向前 电流
–
毫安
1
V
F
–
向前 电压
–
V
2.0 3.0
10
5
500
1.00
T
一个
= 75
°
C
0.5 1.5 2.5
2
20
50
100
200
T
一个
= 50
°
C
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= 0
°
C
T
一个
= -25
°
C
图示 1. 向前 电流 vs. 包围的
温度.
图示 2. 集电级 电源 消耗 vs.
包围的 温度.
图示 3. 集电级-发射级 饱和 电压
vs. 向前 电流.
图示 4. 向前 电流 vs. 向前 电压. 图示 5. 电流 转移 比率 vs. 向前
电流.
图示 6. 集电级 电流 vs. 集电级-
发射级 电压.
图示 7. 相关的 电流 转移 比率 vs.
包围的 温度.
图示 8. 集电级-发射级 饱和
电压 vs. 包围的 温度.
图示 9. 集电级 dark 电流 vs. 包围的
温度.
I
F
–
向前 电流
–
毫安
0
T
一个
–
包围的 温度
–
°
C
75 125
50
25
10
40
0 50 100-55
60
30
20
P
C
–
集电级 电源 消耗
–
mW
0
T
一个
–
包围的 温度
–
°
C
100
50
200
150
75 125250 50 100-55
0
I
F
–
向前 电流
–
毫安
10 100
40
0.20.1
20
60
120
140
CTR
–
电流 转移 比率
–
%
80
100
0.5 2015052
V
CE
= 5 v
T
一个
= 25
°
C
I
C
–
集电级 电流
–
毫安
0
V
CE
–
集电级-发射级 电压
–
V
610
40
20
50
30
P
C
(最大值.)
T
一个
= 25
°
C
I
F
= 30 毫安
I
F
= 20 毫安
I
F
= 5 毫安
30
10
12 45 789
I
F
= 1 毫安
I
F
= 10 毫安
相关的 电流 转移 比率
–
%
0
100
50
150
V
CE
= 5 v
I
F
= 1 毫安
T
一个
–
包围的 温度
–
°
C
8040 60 10020
V
ce(sat.)
–
集电级-发射级
饱和 电压
–
V
0
0.10
0.02
I
C
= 1 毫安
I
F
= 20 毫安
T
一个
–
包围的 温度
–
°
C
804020 60 100
0.04
0.06
0.08
I
CEO
–
集电级 dark 电流
–
nA
T
一个
–
包围的 温度
–
°
C
1
8040 60 10020
V
CE
= 20 v
10
100
1000
10000
0
I
F
–
向前 电流
–
毫安
10.0 15.0
2
5.00
1
3
4
5
6
V
ce(sat.)
–
集电级-发射级
饱和 电压
–
V
T
一个
= 25
°
C
I
C
= 0.5 毫安
I
C
= 1 毫安
I
C
= 3 毫安
I
C
= 5 毫安
I
C
= 7 毫安
2.5 7.5 12.5