相似物 整体的 电路 设备 数据
8 freescale 半导体
908E622
静态的 电的 特性
静态的 电的 特性
表格 3. 静态的 electrical 特性
所有 特性 是 为 这 相似物 碎片 仅有的. 谈及 至 the 68hc908ey16 数据手册 为 characteristics 的 这 微控制器
碎片. 特性 指出 下面 情况 9.0 V
≤
V
SUP
≤
16 v, -40
°
C
≤
T
J
≤
125
°
c 除非 否则 指出. 典型 值
指出 反映 这 近似的 参数 意思 在 t
一个
= 25
°
c 下面 名义上的 情况 除非 否则 指出.
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
供应 电压 范围
名义上的 运行 电压 V
SUP1
9.0 — 16 V
扩展 运行 电压 (lin 仅有的 8..18v)
(9)
V
SUP2
7.5 — 20 V
供应 电流 范围
正常的 模式
(9)
V
SUP
= 12 v, 相似物 碎片 在 正常的 模式 (pson=1), mcu 运行
使用 内部的 振荡器 在 32 mhz (8.0 mhz 总线 频率), spi,
esci, 模数转换器 使能
停止 模式
(9),
(10)
V
SUP
= 12 v, 电压 调整器 和 限制 电流 能力
睡眠 模式
(9),
(10)
V
SUP
= 12 v, 电压 调整器 止
I
RUN
I
停止
I
睡眠
—
—
—
25
40
12
—
50
20
毫安
µ
一个
µ
一个
数字的 接口 比率 (相似物 消逝)
输出 terminals rst_一个
, irq_一个, rxd (miso 探查 仅有的)
低-状态 输出 电压 (i
输出
= -1.5 毫安)
高-状态 输出 电压 (
IOUT
= 250 ua)
V
OL
V
OH
–
3.85
–
–
0.4
–
V
输出 终端 rxd - 电容
(11)
C
输出
–4.0–pf
输入 terminals rst_一个
, pwm (ss, mosi, txd 探查 仅有的)
输入 逻辑 低 电压
输入 逻辑 高 电压
V
IL
V
IH
–
3.5
–
–
1.5
–
V
输入 terminals - 电容
(11)
C
在
–4.0–pf
terminals irq_一个
, rst_一个- pullup 电阻 R
PULLUP1
–10–kOhm
terminals ss
- pullup 电阻 R
PULLUP2
–100–kOhm
terminals mosi, spsck, pwm - 拉-向下 电阻 R
PULLDOWN
–100–kOhm
终端 txd - pullup 电流 源 I
PULLUP
–35–
µ
一个
注释
8. 设备 是 全部地 函数的, 但是 一些 的 这 参数 might 是 输出 的 规格.
9. 总的 电流 量过的 在 地 terminals.
10. 停止 和 睡眠 模式 电流 将 增加 如果 v
SUP
超过 15 v.
11. 这个 参数 是 有保证的 用 处理 monitoring 但是 是 不 生产 测试.
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