MMFT5P03HD
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
I
DSS
, 泄漏 (na)
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)t
J
, 接合面 温度 (
°
c)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特) I
D
, 流 电流 (放大器)
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特) V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
I
D
, 流 电流 (放大器)
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 1. on–region 特性 图示 2. 转移 特性
2610
图示 3. on–resistance 相比
gate–to–source 电压
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
00.1
1000
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
V
DS
≥
10 v
–55
°
C
25
°
C
I
D
= 4 一个
048
– 50 – 25 0 25 50 75 100 125 150 0 6 12 30
V
GS
= 0 v
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 4.5 v
100
18
100
°
C
48 62
10 v
8
6
4
2
0
T
J
= 100
°
C
0.3
0.2
0.1
0
0.3
0.2
0
8
6
4
2
0
232.5 43.5 4.5
0.1
0
0.5
1
2
1.5
V
GS
= 10 v
I
D
= 2 一个
T
J
= 25
°
C
8 v
0 0.4 0.8 1.61.2 2
T
J
= 25
°
C
3.1 v
V
GS
= 10 v
3.5 v
4.5 v
3.7 v
3.9 v
4.1 v
4.3 v
2.7 v
10
6 v
3.3 v
10
3751
24
0.1
1
10
25
°
C
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