MMFT3055VL
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
0 1 2 3 4 5
0
1.5
2.5
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 1. on–region 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
0 1 2 3 4
0
1.5
3
4
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 2. 转移 特性
0 0.5 1 2.5 4
0
0.05
0.1
0.15
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
0 1 3.5 4
0
0.025
0.15
0.2
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 3. on–resistance 相比 流 电流
和 温度
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
– 50
0.6
0.8
1.2
1.6
0 20 50 60
10
100
1000
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
I
DSS
, 泄漏 (na)
– 25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
= 25
°
C
V
DS
≥
10 v
T
J
= – 55
°
C
25
°
C
100
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0 v
V
GS
= 5 v
I
D
= 0.75 一个
3 v
2 v
2.5 v
0.5
1
2
0.5 1.5 2.5 3.5
0.5
2
3.5
V
GS
= 5 v
T
J
= 100
°
C
25
°
C
– 55
°
C
2 3.5 0.5 2 2.5
10 30 40
0.025
0.075
0.125
0.05
0.175
0.075
1.0
1.4
T
J
= 125
°
C
V
GS
= 10 v
15 v
175
6 7 8 9 10
2.5
1
31.5
0.175
0.2
0.125
1.5 3
0.1
0.4
0.2
0
1.8
2.0
100
°
C
3
3.5
4
6 v
4.5 v
3.5 v
4.5 5 5.5
0.225
0.25
6 6.5
0.225
0.25
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