MMSF3P02HD
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
R
ds(在)
, 流-至-源 阻抗 (ohms)
0
3
4
6
1
5
2
0 0.2 0.4 0.6 0.8 2
0
3
4
6
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 1. on–region 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
1.6 1.8 2 2.2 2.4 3.4
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 2. 转移 特性
0 1 2 3 4 10
0.4
0.6
R
ds(在)
, 流-至-源 阻抗 (ohms)
0 1 2 3 4 6
0.05
0.07
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 3. on–resistance 相比
gate–to–source 电压
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
0.80
1.20
10
100
1000
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
I
DSS
, 泄漏 (na)
T
J
= 25
°
C
V
DS
≥
10 v
T
J
= 100
°
C
25
°
C
– 55
°
C
V
GS
= 0 v
I
D
= 1.5 一个
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 4.5 v
V
GS
= 10 v
I
D
= 3.0 一个
1 1.2
3.7 v
3.1 v
2.5 v
2.6
1
1.4 1.6 1.8 2.8 3 3.2
0.2
5 6 7 8 9
10 v
– 50 0 25 50 75 100 125 150
T
J
= 125
°
C
5
0.09
0.06
0.90
2
0
5
1.00
1.10
0 4 8 12 16 20
0.08
2.7 v
2.9 v
V
GS
= 10 v
3.3 v
3.5 v
3.9 v
4.5 v
T
J
= 25
°
C
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