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资料编号:485341
 
资料名称:MMSD1000LT1
 
文件大小: 171.51K
   
说明
 
介绍:
Switching Diode
 
 


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MMBD1000LT1 MMBD2000T1 MMBD3000T1 MMSD1000T1
2
motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
反转 损坏 电压 (i
BR
= 100
µ
一个) V
(br)
30 V
反转 电压 泄漏 电流 (v
R
= 75 v) I
R
500 pA
向前 电压 (i
F
= 1.0 毫安)
向前 电压(i
F
= 10 毫安)
V
F
850
950
mV
二极管 电容 (v
R
= 0 v, f = 1.0 mhz) C
D
2.0 pF
反转 恢复 时间 (i
F
= i
R
= 10 毫安) (图示 1) t
rr
3.0
µ
s
图示 1. 恢复 时间 相等的 测试 电路
注释: 1. 一个 2.0 k
能变的 电阻 调整 为 一个 向前 电流 (i
F
) 的 10 毫安.
注释:2. 输入 脉冲波 是 调整 所以 i
r(顶峰)
是 equal 至 10 毫安.
注释:3. t
p
» t
rr
+10 v
2 k
820
0.1
µ
F
DUT
V
R
100
µ
H
0.1
µ
F
50
输出
脉冲波
发生器
50
输入
抽样
OSCILLOSCOPE
t
r
t
p
t
10%
90%
I
F
I
R
t
rr
t
i
r(rec)
= 1 毫安
输出 脉冲波
(i
F
= i
R
= 10 毫安; 量过的
在 i
r(rec)
= 1 毫安)
I
F
输入 信号
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