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© 2003 仙童 半导体 公司
小 外形 optocouplers
晶体管 输出
moc205-m moc206-m moc207-m moc208-m
** 典型 值 在 t
一个
= 25°c
1. 分开 surge 电压, v
ISO
, 是 一个 内部的 设备 dielectric 损坏 比率.
2. 为 这个 测试, 管脚 1 和 2 是 一般 和 管脚 5, 6 和 7 是 一般.
3. v
ISO
比率 的 2500 v
交流(rms)
为 t = 1 最小值 是 相等的 至 一个 比率 的 3,000 v
交流(rms)
为 t = 1 秒.
4. 电流 转移 比率 (ctr) = i
C
/i
F
x 100%.
电的 特性 (t
一个
= 25°c 除非 否则 specified)
参数 测试 情况 标识 最小值 Typ** 最大值 单位
发射级
输入 向前 电压
(i
F
= 10 毫安) V
F
— 1.15 1.5 V
反转 泄漏 电流
(v
R
= 6.0 v) I
R
— 0.001 100 µA
输入 电容
C
在
—18— pF
探测器
集电级-发射级 dark 电流
(v
CE
= 10 v, t
一个
= 25°c)
(v
CE
= 10 v, t
一个
= 100°c)
I
CEO1
I
CEO2
—
—
1.0
1.0
50
—
nA
µA
集电级-发射级 损坏 电压
(i
C
= 100 µa) BV
CEO
70 100 — V
发射级-集电级 损坏 电压
(i
E
= 100 µa) BV
ECO
7.0 10 — V
集电级-发射级 电容
(f = 1.0 mhz, v
CE
= 0) C
CE
— 7.0 — pF
结合
集电级-输出 电流
(4)
moc205-m
moc206-m
moc207-m
moc208-m
(i
F
= 10 毫安, v
CE
= 10 v)
CTR
40
63
100
40
—
—
—
—
80
125
200
125
%
分开 surge 电压
(1,2,3)
(f = 60 hz 交流 顶峰, t = 1 最小值.)
V
ISO
2500 — — vac(rms)
分开 阻抗
(2)
(v = 500 v)
R
ISO
10
11
——
Ω
集电级-发射级 饱和 电压
(i
C
= 2 毫安, i
F
= 10 毫安) V
ce (sat)
——0.4 V
分开 电容
(2)
(v = 0 v, f = 1 mhz)
C
ISO
— 0.2 — pF
Tur n-在 时间
(i
C
= 2.0 毫安, v
CC
= 10 v,
R
L
= 100
Ω
) (图. 6)
t
在
— 7.5 — µs
Tur n-止 时间
(i
C
= 2.0 毫安, v
CC
= 10 v,
R
L
= 100
Ω
) (图. 6)
t
止
— 5.7 — µs
上升 时间
(i
C
= 2.0 毫安, v
CC
= 10 v,
R
L
= 100
Ω
) (图. 6)
t
r
— 3.2 — µs
F所有 时间
(i
C
= 2.0 毫安, v
CC
= 10 v,
R
L
= 100
Ω
) (图. 6)
t
f
— 4.7 — µs
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