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MP6404
2004-07-01
5
nch mos 场效应晶体管
门-源 电压  v
GS
(v)
I
D
– v
GS
流 电流  I
D
(一个)
门-源 电压  v
GS
(v)
V
DS
– v
GS
流-源 电压  v
DS
(v)
流-源 电压  V
DS
(v)
I
D
– v
DS
流 电流  I
D
(一个)
流-源 电压  V
DS
(v)
I
D
– v
DS
流 电流  I
D
(一个)
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(
Ω
)
流 电流  i
D
(一个)
|Y
fs
| – i
D
向前 转移 admittance  |y
fs
|  (s)
流 电流  i
D
(一个)
R
ds (在)
– i
D
一般 源
tc = 25°c
4
3
3.5
10 6
8
V
GS
= 2.5 v
4.5
0
4
8
12
16
20
0 4 8 12 16 20
0
0
一般 源
tc = 25°c
5
8
I
D
= 2.5 一个
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0 4 8 12 16 20
一般 源
tc = 25°c
0.03
0.3
10
V
GS
= 4 v
0.5 1 3 5 10
0.05
0.1
0.3
0.5
0.3
0.5
100
25
tc =
−
55°C
一般 源
V
DS
= 10 v
1
3
5
10
20
0.5 1 3 5 10 30
0
0
一般 源
V
DS
= 10 v
100
25
tc =
−
55°C
2
4
6
8
10
0 2 4 6 8 10
0
0
3.5
3
3.3
10
6
8
4
一般 源
tc = 25°c
1
2
3
4
5
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
V
GS
= 2.5 v

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MP6404 2004-07-01 5 nch mos 场效应晶体管门-源电压 v GS (v) I D – v GS 流电流 I D (一个) 门-源电压 v GS (v) V DS – v GS 流-源电压 v DS (v) 流-源电压 V DS (v) I D – v DS 流电流 I D (一个) 流-源电压 V DS (v) I D – v DS 流电流 I D (一个) 流-源在阻抗 R ds (在) ( Ω ) 流电流 i D (一个) \|Y fs \| – i D 向前转移 admittance \|y fs \| (s) 流电流 i D (一个) R ds (在) – i D 一般源 tc = 25°c 4 3 3.5 10 6 8 V GS = 2.5 v 4.5 0 4 8 12 16 20 0 4 8 12 16 20 0 0 一般源 tc = 25°c 5 8 I D = 2.5 一个 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 0 4 8 12 16 20 一般源 tc = 25°c 0.03 0.3 10 V GS = 4 v 0.5 1 3 5 10 0.05 0.1 0.3 0.5 0.3 0.5 100 25 tc = − 55°C 一般源 V DS = 10 v 1 3 5 10 20 0.5 1 3 5 10 30 0 0 一般源 V DS = 10 v 100 25 tc = − 55°C 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10 0 0 3.5 3 3.3 10 6 8 4 一般源 tc = 25°c 1 2 3 4 5 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 V GS = 2.5 v

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