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MP6404
2004-07-01
6
nch mos 场效应晶体管
流-源 电压  V
DS
(v)
电容 – v
DS
电容  c  (pf)
情况 温度  tc  (°c)
V
th
– tc
门 门槛 电压  V
th
(v)
情况 温度  tc  (°c)
R
ds (在)
– tc
流-源 在 阻抗  R
ds(在)
(
Ω
)
流-源 电压  V
DS
(v)
I
DR
– v
DS
流 反转 电流  I
DR
(一个)
门-源 电压  v
GS
(v)
总的 门 承担  Q
g
(nc)
动态 输入/输出 特性
流-源 电压  v
DS
(v)
0
−
80
V
GS
= 4 v
一般 源 
2.5, 1.3
2.5
1.3
I
D
= 4 一个
V
GS
= 10 v
−
40 0 40 80 120 160
0.3
0.1
0.2
0.4
4
0
−
80
一般 源
V
DS
= 10 v
I
D
= 1 毫安
−
40 0 40 80 120 160
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
一般 源
V
GS
= 0 v 
f = 1 mhz
Tc = 2 5 ° C 
10
0.1
30
50
100
300
500
1000
3000
0.3 0.5 1 10 30 50 1003 5
C
iss
C
oss
C
rss
一般 源
I
D
= 5 毫安
tc = 25°c
0
0
20 40 60 80
20
40
60
80
V
DD
= 48 v
12
V
DD
= 48 v
V
DS
V
GS
0
4
8
12
16
24
24
12
一般 源
Tc = 2 5 ° C 
0.1
0
−
0.4
−
0.8
−
1.6
−
2.0
−
2.4
−
1.2
0.3
0.5
1
3
5
10
20
V
GS
= 0,
−
1 v
10
3
1

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MP6404 2004-07-01 6 nch mos 场效应晶体管流-源电压 V DS (v) 电容 – v DS 电容 c (pf) 情况温度 tc (°c) V th – tc 门门槛电压 V th (v) 情况温度 tc (°c) R ds (在) – tc 流-源在阻抗 R ds(在) ( Ω ) 流-源电压 V DS (v) I DR – v DS 流反转电流 I DR (一个) 门-源电压 v GS (v) 总的门承担 Q g (nc) 动态输入/输出特性流-源电压 v DS (v) 0 − 80 V GS = 4 v 一般源 2.5, 1.3 2.5 1.3 I D = 4 一个 V GS = 10 v − 40 0 40 80 120 160 0.3 0.1 0.2 0.4 4 0 − 80 一般源 V DS = 10 v I D = 1 毫安 − 40 0 40 80 120 160 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 一般源 V GS = 0 v f = 1 mhz Tc = 2 5 ° C 10 0.1 30 50 100 300 500 1000 3000 0.3 0.5 1 10 30 50 1003 5 C iss C oss C rss 一般源 I D = 5 毫安 tc = 25°c 0 0 20 40 60 80 20 40 60 80 V DD = 48 v 12 V DD = 48 v V DS V GS 0 4 8 12 16 24 24 12 一般源 Tc = 2 5 ° C 0.1 0 − 0.4 − 0.8 − 1.6 − 2.0 − 2.4 − 1.2 0.3 0.5 1 3 5 10 20 V GS = 0, − 1 v 10 3 1

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