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MP6404
2004-07-01
7
pch mos 场效应晶体管
门-源 电压  v
GS
(v)
I
D
– v
GS
流 电流  I
D
(一个)
门-源 电压  v
GS
(v)
V
DS
– v
GS
流-源 电压  v
DS
(v)
)
流-源 电压  V
DS
(v)
I
D
– v
DS
流 电流  I
D
(一个)
流-源 电压  V
DS
(v)
I
D
– v
DS
流 电流  I
D
(一个)
流 电流  i
D
(一个)
|Y
fs
| – i
D
向前 转移 admittance  |Y
fs
|  (s)
流 电流  i
D
(一个)
R
ds (在)
– i
D
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(
Ω
)
−
10
0
0
一般 源
V
DS
=
−
10 v
100
25
tc =
−
55°C
−
2
−
4
−
6
−
8
−
2
−
4
−
6
−
8
−
10
0
0
一般 源
tc = 25°c
−
2
I
D
=
−
5 一个
−
4
−
3
−
1
−
0.4
−
0.8
−
1.2
−
1.6
−
2.0
−
4
−
8
−
12
−
16
−
20
0.03
−
0.1
V
GS
=
−
4 v
−
10
一般 源
Tc = 2 5 ° C 
−
0.3
−
0.5
−
1
−
3
−
10
−
30
0.05
0.1
0.3
0.5
1
3
−
5
0
0
一般 源
tc = 25°c
−
2
−
4
−
6
−
8
−
10
−
2
−
4
−
6
−
8
−
10
−
4
V
GS
=
−
2V
−
3
−
3.5
−
10
−
6
−
8
−
2.5
0
0
−
4
V
GS
=
−
2V
−
3
−
3.5
−
10
−
6
−
8
一般 源
Tc = 2 5 °C
−
2.5
−
1
−
2
−
3
−
4
−
5
−
0.4
−
0.8
−
1.2
−
1.6
−
2.0
−
0.1
0.3
一般 源
V
DS
=
−
10 v
100
25
tc =
−
55°C
−
0.3
−
0.5
−
1
−
3
−
5
−
10
−
30
0.5
1
3
5
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MP6404 2004-07-01 7 pch mos 场效应晶体管门-源电压 v GS (v) I D – v GS 流电流 I D (一个) 门-源电压 v GS (v) V DS – v GS 流-源电压 v DS (v) ) 流-源电压 V DS (v) I D – v DS 流电流 I D (一个) 流-源电压 V DS (v) I D – v DS 流电流 I D (一个) 流电流 i D (一个) \|Y fs \| – i D 向前转移 admittance \|Y fs \| (s) 流电流 i D (一个) R ds (在) – i D 流-源在阻抗 R ds (在) ( Ω ) − 10 0 0 一般源 V DS = − 10 v 100 25 tc = − 55°C − 2 − 4 − 6 − 8 − 2 − 4 − 6 − 8 − 10 0 0 一般源 tc = 25°c − 2 I D = − 5 一个 − 4 − 3 − 1 − 0.4 − 0.8 − 1.2 − 1.6 − 2.0 − 4 − 8 − 12 − 16 − 20 0.03 − 0.1 V GS = − 4 v − 10 一般源 Tc = 2 5 ° C − 0.3 − 0.5 − 1 − 3 − 10 − 30 0.05 0.1 0.3 0.5 1 3 − 5 0 0 一般源 tc = 25°c − 2 − 4 − 6 − 8 − 10 − 2 − 4 − 6 − 8 − 10 − 4 V GS = − 2V − 3 − 3.5 − 10 − 6 − 8 − 2.5 0 0 − 4 V GS = − 2V − 3 − 3.5 − 10 − 6 − 8 一般源 Tc = 2 5 °C − 2.5 − 1 − 2 − 3 − 4 − 5 − 0.4 − 0.8 − 1.2 − 1.6 − 2.0 − 0.1 0.3 一般源 V DS = − 10 v 100 25 tc = − 55°C − 0.3 − 0.5 − 1 − 3 − 5 − 10 − 30 0.5 1 3 5 10 30

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