MP6404
2004-07-01
9
包围的 温度 ta (°c)
P
DT
– ta
总的 电源 消耗 P
DT
(w)
总的 电源 消耗 P
DT
(w)
∆
T
ch
– p
DT
频道 温度 增加
∆
T
ch
(°c)
(1) (2) (3) (4)
2
4 6 8
0
160
40
80
120
10
0
连结 在 一个 电路 板
(1) 1-设备 运作
(2) 2-设备 运作
(3) 3-设备 运作
(4) 6-设备 运作
电路 板
(4)
(3)
(2)
(1)
0
8
40
2
4
6
80 120 160 200
0
(1) 1-设备 运作
(2) 2-设备 运作
(3) 3-设备 运作
(4) 6-设备 运作
连结 在 一个 电路 板
电路 板
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
0.1
曲线 应当 是 应用 在 热的
限制 范围. (单独的 nonrepetitive 脉冲波)
这 图示 显示 热的 阻抗 每
设备 相比 脉冲波 宽度.
-非 热温 下沉/连结 在 一个 电路 板-
(1) 1-设备 运作
(2) 2-设备 运作
(3) 3-设备 运作
(4) 6-设备 运作
电路 板
(1)
(2)
(3)
(4)
nch mos 场效应晶体管
pch mos 场效应晶体管
0.3
1
3
10
30
100
300
r
th
– t
w
脉冲波 宽度 t
w
(s)
瞬时 热的 阻抗 r
th
(°c/w)
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