fedd5118165f-01
1
半导体
MSM5118165F
6/15
交流 特性 (1/2)
(v
CC
= 5v
±
10%, ta = 0 至 70°c) note1,2,3
MSM5118165
f-50
MSM5118165
f-60
MSM5118165
f-70
参数 标识
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
单位 便条
随机的 读 或者 写 循环 时间 t
RC
84
104
124
ns
读 modify 写 循环 时间 t
RWC
110
135
160
ns
快 页 模式 循环 时间 t
HPC
20
25
30
ns
快 页 模式 读 modify 写
循环 时间
t
HPRWC
58
68
78
ns
进入 时间 从
RAS
t
RAC
50
60
70 ns 4, 5, 6
进入 时间 从
CAS
t
CAC
13
15
20 ns 4,5
进入 时间 从 column 地址 t
AA
25
30
35 ns 4,6
进入 时间 从
CAS
Precharge t
CPA
30
35
40 ns 4,13
进入 时间 从
OE
t
OEA
13
15
20 ns 4
输出 低 阻抗 时间 从
CAS
t
CLZ
0
0
0
ns 4
数据 输出 支撑 之后
CAS
低 t
DOH
5
5
5
ns
CAS
至 数据 输出 缓存区 转变-
止 延迟 时间
t
CEZ
013015020ns7,8
RAS
至 数据 输出 缓存区 转变-
止 延迟 时间
t
REZ
013015020ns7,8
OE
至 数据 输出 缓存区 转变-止
延迟 时间
t
OEZ
013015020ns7
我们
至 数据 输出 缓存区 转变-
止 延迟 时间
t
WEZ
013015020ns7
转变 时间 t
T
150150150ns3
refresh 时期 t
REF
16
16
16 ms
RAS
precharge 时间 t
RP
30
40
50
ns
RAS
脉冲波 宽度 t
RAS
50 10,000 60 10,000 70 10,000 ns
RAS
脉冲波 宽度
(快 页 模式 和 edo)
t
RASP
50 100,000 60 100,000 70 100,000 ns
RAS
支撑 时间 t
RSH
7
10
13
ns
RAS
支撑 时间 关联 至
OE
t
ROH
7
10
13
ns
CAS
precharge 时间
(快 页 模式 和 edo)
t
CP
7
10
10
ns 15
CAS
脉冲波 宽度 t
CAS
7 10,000 10 10,000 13 10,000 ns
CAS
支撑 时间 t
CSH
35
40
45
ns
CAS
至
RAS
precharge 时间 t
CRP
5
5
5
ns 13
RAS
支撑 时间 从
CAS
Precharge t
RHCP
30
35
40
ns 13
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