半导体
这个 版本: dec.2000
msm514800e/esl
7/14
1
fedd514800esl-01
交流 典型的 (2/2)
(v
CC
= 5v ± 10%, ta = 0°c 至 70°c) note1,2,3
MSM514800
e/esl-60
MSM514800
e/esl-70
参数 标识
最小值 最大值 最小值 最大值
单位 便条
column 地址 设置-向上 时间
t
ASC
0
0
ns
column 地址 支撑 时间
t
CAH
10
15
ns
column 地址 至
RAS
含铅的 时间
t
RAL
30
35
ns
读 command 设置-向上 时间
t
RCS
0
0
ns
读 command 支撑 时间
t
RCH
0
0
ns 8
读 command 支撑 时间 关联 至
RAS
t
RRH
0
0
ns 8
Write command 设置-向上 时间
t
WCS
0
0
ns 9
Write command 支撑 时间
t
WCH
10
15
ns
Write command 脉冲波 width
t
WP
10
10
ns
OE
command 支撑 时间
t
OEH
15
20
ns
Write command 至
RAS
含铅的 时间
t
RWL
15
20
ns
Write command 至
CAS
含铅的 时间
t
CWL
15
20
ns
数据-在 设置-向上 时间
t
DS
0
0
ns 10
数据-在 支撑 时间
t
DH
10
15
ns 10
OE
至 数据-在 延迟 时间
t
OED
15
20
ns
CAS
至
我们
延迟 时间
t
CWD
40
50
ns 9
column 地址 至 we 延迟 时间
t
AWD
55
65
ns 9
RAS
至
我们
延迟 时间
t
RWD
85
100
ns 9
CAS
Precharge
我们
延迟 时间
t
CPWD
60
70
ns 9
CAS
起作用的 延迟 时间 从
RAS
Precharge
t
RPC
5
5
ns
RAS
至
CAS
设置-向上 时间
(
CAS
在之前
RAS
)
t
CSR
10
10
ns
RAS
至
CAS
支撑 时间 (
CAS
在之前
RAS
)
t
CHR
10
10
ns
RAS
脉冲波 width
(
CAS
在之前
RAS
自-refresh)
t
RASS
100
100
µ
s
11
RAS
precharge 时间
(
CAS
在之前
RAS
自-refresh)
t
RPS
110
130
ns 11
CAS
支撑 时间
(
CAS
在之前
RAS
自-refresh)
t
CHS
−
40
−
50
ns 11
: 点此下载
