MT88L70
数据 薄板
8
zarlink 半导体 公司
† exceeding 这些 值 将 导致 永久的 损坏. 函数的 运作 下面 这些 情况 是 不 暗指.
减额 在之上 75
°
c 在 16 mw /
°
c. 所有 leads 焊接 至 板.
‡ 典型 计算数量 是 在 25
°
c 和 是 为 设计 aid 仅有的: 不 有保证的 和 不 主题 至 生产 测试.
绝对 最大 比率
†
参数 标识 最小值 最大值 单位
1 直流 电源 供应 电压 V
DD
7V
2 电压 在 任何 管脚 V
I
V
SS
-0.3 V
DD
+0.3 V
3 电流 在 任何 管脚(其它 比 供应) I
I
10 毫安
4 存储 温度 T
STG
-65 +150
°
C
5 包装 电源 消耗 P
D
500 mW
推荐 运行 情况
-
电压 是 和 遵守 至 地面 (v
SS
) 除非 否则 陈述.
参数 sym. 最小值 典型值
‡
最大值 单位 测试 情况
1 直流 电源 供应 电压 V
DD
2.7 3.0 3.6 V
2 运行 温度 T
O
-40 +85
°
C
3 结晶/时钟 频率 fc 3.579545 MHz
4 结晶/时钟 freq.容忍
∆
fc
±
0.1 %
直流 电的 特性
-
V
DD
= 3.0 v+ 20%/-10%, v
SS
= 0 v, -40
°
C
≤
T
O
≤
+85
°
c, 除非 否则 陈述.
特性 sym. 最小值 典型值
‡
最大值 单位 测试 情况
1
S
U
P
P
L
Y
备用物品 供应 电流 I
DDQ
110
µ
一个 PWDN=V
DD
2 运行 供应 电流 I
DD
2.0 5.5 毫安
3 电源 消耗量 P
O
6mWf
c
=3.579545 mhz
4
I
N
P
U
T
S
高 水平的 输入 V
IH
2.1 V V
DD
= 3.0 V
5 低 水平的 输入 电压 V
IL
0.9 V V
DD
= 3.0 V
6 输入 泄漏 电流 I
IH
/i
IL
0.05 5
µ
AV
在
= v
SS
或者 v
DD
7 拉 向上 (源) 电流 I
所以
415
µ
一个 toe (管脚 10) = 0,
V
DD
= 3.0 V
8 拉 向下 (下沉) 电流 I
SI
15 40
µ
一个 inh = v
DD
, pwdn =
V
DD
, v
DD
= 3.0 V
9 输入 阻抗 (in+, 在-) R
在
10 M
Ω
@ 1 khz
10 steering 门槛 电压 V
TSt
0.465v
DD
V
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