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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
设计者's

 数据 薄板
TMOS e-场效应晶体管.

高 活力 电源 场效应晶体管
D
2
PAK 为 表面 挂载
n–channel enhancement–mode 硅 门
这 d
2
pak 包装 有 这 能力 的 housing 一个 大 消逝
比 任何 存在 表面 挂载 包装 这个 准许 它 至 是 使用
在 产品 那 需要 这 使用 的 表面 挂载 组件
和 高等级的 电源 和 更小的 r
ds(在)
能力. 这个 先进的
tmos e–fet 是 设计 至 承受 高 活力 在 这
avalanche 和 commutation 模式. 这 新 活力 效率高的
设计 也 提供 一个 drain–to–source 二极管 和 一个 快 恢复
时间. 设计 为 低 电压, 高 速 切换 产品 在
电源 供应, 转换器 和 pwm 发动机 控制, 这些
设备 是 特别 好 suited 为 桥 电路 在哪里 二极管
速 和 commutating safe 运行 areas 是 核心的 和 提供
额外的 安全 余裕 相反 unexpected 电压 过往旅客.
•
强健的 高 电压 末端
•
avalanche 活力 指定
•
source–to–drain 二极管 恢复 时间 comparable 至 一个
分离的 快 恢复 二极管
•
二极管 是 典型 为 使用 在 桥 电路
•
I
DSS
和 v
ds(在)
指定 在 提升 温度
•
短的 散热器 tab 制造的 — 不 sheared
•
specially 设计 引线框架 为 最大 电源 消耗
•
有 在 24 mm 13–inch/800 单位 录音带 &放大; 卷轴, 增加 t4
后缀 至 部分 号码
最大 比率
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 值 单位
drain–to–source 电压 V
DSS
600 Vdc
drain–to–gate 电压 (r
GS
= 1.0 m
Ω
) V
DGR
600 Vdc
gate–source 电压 — 持续的
gate–source 电压— non–repetitive (t
p
≤
10 ms)
V
GS
V
GSM
±
20
±
40
Vdc
Vpk
流 电流 — 持续的
流 电流— 持续的 @ 100
°
C
流 电流— 单独的 脉冲波 (t
p
≤
10
µ
s)
I
D
I
D
I
DM
6.0
4.6
18
模数转换器
Apk
总的 电源 消耗 @ 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
(1)
P
D
125
1.0
2.5
Watts
w/
°
C
Watts
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
– 55 至 150
°
C
单独的 脉冲波 drain–to–source avalanche 活力 — 开始 t
J
= 25
°
C
(v
DD
= 100 vdc, v
GS
= 10 vdc, 顶峰 i
L
=  9.0 apk, l = 10 mh, r
G
= 25
Ω
)
E
作
405
mJ
热的 阻抗 — 接合面 至 情况
热的 阻抗— 接合面 至 包围的
热的 阻抗— 接合面 至 包围的
(1)
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
1.0
62.5
50
°
c/w
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的, 1/8
″
从 情况 为 10 秒 T
L
260
°
C
(1) 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 这 最小 推荐 垫子 大小.
设计者’s 数据 为 “worst case” 情况
— 这 设计者’s 数据 薄板 准许 这 设计 的 大多数 电路 全部地 从 这 信息 提交. soa 限制
曲线 — representing boundaries 在 设备 特性 — 是 给 至 facilitate “worst case” 设计.
e–fet 和 设计者’s 是 商标 的 motorola, 公司 tmos 是 一个 注册 商标 的 motorola, 公司
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司.
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
顺序 这个 文档
用 mtb6n60e/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MTB6N60E
tmos 电源 场效应晶体管
6.0 amperes
600 伏特
R
ds(在)
= 1.2 ohm
motorola preferred 设备
情况 418b–03, 样式 2
D
2
PAK
D
S
G


motorola, 公司 1997
rev 2

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1 motorola tmos 电源场效应晶体管晶体管设备数据设计者's  数据薄板 TMOS e-场效应晶体管.  高活力电源场效应晶体管 D 2 PAK 为表面挂载 n–channel enhancement–mode 硅门这 d 2 pak 包装有这能力的 housing 一个大消逝比任何存在表面挂载包装这个准许它至是使用在产品那需要这使用的表面挂载组件和高等级的电源和更小的 r ds(在) 能力. 这个先进的 tmos e–fet 是设计至承受高活力在这 avalanche 和 commutation 模式. 这新活力效率高的设计也提供一个 drain–to–source 二极管和一个快恢复时间. 设计为低电压, 高速切换产品在电源供应, 转换器和 pwm 发动机控制, 这些设备是特别好 suited 为桥电路在哪里二极管速和 commutating safe 运行 areas 是核心的和提供额外的安全余裕相反 unexpected 电压过往旅客. • 强健的高电压末端 • avalanche 活力指定 • source–to–drain 二极管恢复时间 comparable 至一个分离的快恢复二极管 • 二极管是典型为使用在桥电路 • I DSS 和 v ds(在) 指定在提升温度 • 短的散热器 tab 制造的 — 不 sheared • specially 设计引线框架为最大电源消耗 • 有在 24 mm 13–inch/800 单位录音带 &放大; 卷轴, 增加 t4 后缀至部分号码最大比率 (t C = 25 ° c 除非否则指出) 比率标识值单位 drain–to–source 电压 V DSS 600 Vdc drain–to–gate 电压 (r GS = 1.0 m Ω ) V DGR 600 Vdc gate–source 电压 — 持续的 gate–source 电压— non–repetitive (t p ≤ 10 ms) V GS V GSM ± 20 ± 40 Vdc Vpk 流电流 — 持续的流电流— 持续的 @ 100 ° C 流电流— 单独的脉冲波 (t p ≤ 10 µ s) I D I D I DM 6.0 4.6 18 模数转换器 Apk 总的电源消耗 @ 25 ° C 减额在之上 25 ° C 总的电源消耗 @ t 一个 = 25 ° C (1) P D 125 1.0 2.5 Watts w/ ° C Watts 运行和存储温度范围 T J , t stg – 55 至 150 ° C 单独的脉冲波 drain–to–source avalanche 活力 — 开始 t J = 25 ° C (v DD = 100 vdc, v GS = 10 vdc, 顶峰 i L = 9.0 apk, l = 10 mh, r G = 25 Ω ) E 作 405 mJ 热的阻抗 — 接合面至情况热的阻抗— 接合面至包围的热的阻抗— 接合面至包围的 (1) R θ JC R θ JA R θ JA 1.0 62.5 50 ° c/w 最大含铅的温度为焊接目的, 1/8 ″ 从情况为 10 秒 T L 260 ° C (1) 当表面挂载至一个 fr4 板使用这最小推荐垫子大小. 设计者’s 数据为 “worst case” 情况 — 这设计者’s 数据薄板准许这设计的大多数电路全部地从这信息提交. soa 限制曲线 — representing boundaries 在设备特性 — 是给至 facilitate “worst case” 设计. e–fet 和设计者’s 是商标的 motorola, 公司 tmos 是一个注册商标的 motorola, 公司热的 clad 是一个商标的这 bergquist 公司. Preferred 设备是 motorola 推荐 choices 为 future 使用和最好的整体的值. 顺序这个文档用 mtb6n60e/d MOTOROLA 半导体技术的数据 MTB6N60E tmos 电源场效应晶体管 6.0 amperes 600 伏特 R ds(在) = 1.2 ohm motorola preferred 设备情况 418b–03, 样式 2 D 2 PAK D S G   motorola, 公司 1997 rev 2

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