MTB6N60E
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
图示 1. on–region 特性 图示 2. 转移 特性
图示 3. on–resistance 相比 流 电流
和 温度
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
04 81216
0
8
12
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
I
D
, 流 电流 (放大器)
2.0 3.0 4.0 5.0
0
2
6
12
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
T
J
= 25
°
C
V
DS
≥
10 v
T
J
= – 55
°
C
100
°
C
18
6 v
5 v
8
4
10
6
2.5 3.5 4.5 5.5
4
2
2 6 10 14 6.0
25
°
C
V
GS
= 10 v
7 v
4 v
8 v
10
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
I
D
, 流 电流 (放大器)
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 10 v
15 v
1.1
1.3
1.4
1.2
1.0
0.9
26481210
0.8
0
02 6 10
0
1.0
2.0
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
I
D
, 流 电流 (放大器)
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 10 v
25
°
C
–55
°
C
0.5
48
1.5
2.5
12
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
V
GS
= 10 v
I
D
= 3 一个
– 50 0 50 100 150125–25 25 75
2.5
2
1.5
1
0.5
0
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
I
DSS
, 泄漏 (na)
V
GS
= 0 v
0 200 400
10
1000
100 300 600500
T
J
= 125
°
C
10000
100
100
°
C
1
25
°
C
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