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MTB75N05HD
2
motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
电的 特性
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
drain–to–source 损坏 电压 (c
pk
≥
2)
(2)
(v
GS
= 0, i
D
= 250
µ
模数转换器)
温度 系数 (积极的)
V
(br)dss
50
—
—
54.9
—
—
Vdc
mv/
°
C
零 门 电压 流 电流
(v
DS
= 50 v, v
GS
= 0)
(v
DS
= 50 v, v
GS
= 0, t
J
= 125
°
c)
I
DSS
—
—
—
—
10
100
µ
模数转换器
gate–body 泄漏 电流
(v
GS
=
±
20 vdc, v
DS
= 0)
I
GSS
— — 100
nAdc
在 特性 (1)
门 门槛 电压 (c
pk
≥
1.5)
(2)
(v
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
模数转换器)
门槛 温度 系数 (负的)
V
gs(th)
2.0
—
—
6.3
4.0
—
Vdc
mv/
°
C
静态的 drain–to–source on–resistance
(3)
(c
pk
≥
3.0)
(2)
(v
GS
= 10 vdc, i
D
= 20 模数转换器)
R
ds(在)
— 7.0 9.5
m
Ω
drain–to–source on–voltage (v
GS
= 10 vdc)
(3)
(i
D
= 75 一个)
(i
D
= 20 模数转换器, t
J
= 125
°
c)
V
ds(在)
—
—
0.63
—
—
0.34
Vdc
向前 跨导 (v
DS
= 10 vdc, i
D
= 20 模数转换器) g
FS
15 — — mhos
动态 特性
输入 电容
(v
DS
= 25 v, v
GS
= 0, (c
pk
≥
2.0)
(2)
f = 1.0 mhz) (c
pk
≥
2.0)
(2)
(c
pk
≥
2.0)
(2)
C
iss
— 2600 2900 pF
输出 电容
(v
DS
= 25 v, v
GS
= 0, (c
pk
≥
2.0)
(2)
f = 1.0 mhz) (c
pk
≥
2.0)
(2)
(c
pk
≥
2.0)
(2)
C
oss
— 1000 1100
转移 电容
pk
≥
2.0)
(2)
(c
pk
≥
2.0)
(2)
C
rss
— 230 275
切换 特性 (4)
turn–on 延迟 时间
(v
DD
= 25 v, i
D
= 75 一个,
V
GS
= 10 v,
R
G
= 9.1
Ω
)
t
d(在)
— 15 30 ns
上升 时间
(v
DD
= 25 v, i
D
= 75 一个,
V
GS
= 10 v,
R
G
= 9.1
Ω
)
t
r
— 170 340
turn–off 延迟 时间
V
GS
= 10 v,
R
G
= 9.1
Ω
)
t
d(止)
— 70 140
下降 时间
G
= 9.1
Ω
)
t
f
— 100 200
门 承担
(v
DS
= 40 v, i
D
= 75 一个,
V
GS
= 10 v)
Q
T
— 71 100 nC
(v
DS
= 40 v, i
D
= 75 一个,
V
GS
= 10 v)
Q
1
— 13 —
(v
DS
= 40 v, i
D
= 75 一个,
V
GS
= 10 v)
Q
2
— 33 —
Q
3
— 26 —
source–drain 二极管 特性
向前 on–voltage (i
S
= 75 一个, v
GS
= 0) (c
pk
≥
10)
(2)
(i
S
= 20 一个, v
GS
= 0)
(是 = 20 一个,  v
GS
= 0, t
J
= 125
°
c)
V
SD
—
—
0.97
0.80
0.68
—
1.00
—
Vdc
反转 恢复 时间
(i
S
= 37.5 一个, v
GS
= 0,
dI
S
/dt = 100 一个/
µ
s)
t
rr
— 57 —
ns
(i
S
= 37.5 一个, v
GS
= 0,
dI
S
/dt = 100 一个/
µ
s)
t
一个
— 40 —
(i
S
= 37.5 一个, v
GS
= 0,
dI
S
/dt = 100 一个/
µ
s)
t
b
— 17 —
反转 恢复 贮存 承担 Q
RR
— 0.17 —
µ
C
内部的 包装 电感
内部的 流 电感
(量过的 从 联系 screw 在 tab 至 中心 的 消逝)
(量过的 从 流 含铅的 0.25
″
从 包装 至 中心 的 消逝)
L
D
—
—
3.5
4.5
—
—
nH
内部的 源 电感
(量过的 从 这 源 含铅的 0.25
″
从 包装 至 源 bond 垫子)
L
S
— 7.5 —
(1) 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%.
(2) reflects 典型 值. c
pk
= 绝对 值 的 (规格 – avg) / 3 * sigma).
(3) 为 精确 度量, 好的 kelvin 联系 必需的.
(4) 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.

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MTB75N05HD 2 motorola tmos 电源场效应晶体管晶体管设备数据电的特性 (t J = 25 ° c 除非否则指出) 典型的标识最小值典型值最大值单位止特性 drain–to–source 损坏电压 (c pk ≥ 2) (2) (v GS = 0, i D = 250 µ 模数转换器) 温度系数 (积极的) V (br)dss 50 — — 54.9 — — Vdc mv/ ° C 零门电压流电流 (v DS = 50 v, v GS = 0) (v DS = 50 v, v GS = 0, t J = 125 ° c) I DSS — — — — 10 100 µ 模数转换器 gate–body 泄漏电流 (v GS = ± 20 vdc, v DS = 0) I GSS — — 100 nAdc 在特性 (1) 门门槛电压 (c pk ≥ 1.5) (2) (v DS = v GS , i D = 250 µ 模数转换器) 门槛温度系数 (负的) V gs(th) 2.0 — — 6.3 4.0 — Vdc mv/ ° C 静态的 drain–to–source on–resistance (3) (c pk ≥ 3.0) (2) (v GS = 10 vdc, i D = 20 模数转换器) R ds(在) — 7.0 9.5 m Ω drain–to–source on–voltage (v GS = 10 vdc) (3) (i D = 75 一个) (i D = 20 模数转换器, t J = 125 ° c) V ds(在) — — 0.63 — — 0.34 Vdc 向前跨导 (v DS = 10 vdc, i D = 20 模数转换器) g FS 15 — — mhos 动态特性输入电容 (v DS = 25 v, v GS = 0, (c pk ≥ 2.0) (2) f = 1.0 mhz) (c pk ≥ 2.0) (2) (c pk ≥ 2.0) (2) C iss — 2600 2900 pF 输出电容 (v DS = 25 v, v GS = 0, (c pk ≥ 2.0) (2) f = 1.0 mhz) (c pk ≥ 2.0) (2) (c pk ≥ 2.0) (2) C oss — 1000 1100 转移电容 pk ≥ 2.0) (2) (c pk ≥ 2.0) (2) C rss — 230 275 切换特性 (4) turn–on 延迟时间 (v DD = 25 v, i D = 75 一个, V GS = 10 v, R G = 9.1 Ω ) t d(在) — 15 30 ns 上升时间 (v DD = 25 v, i D = 75 一个, V GS = 10 v, R G = 9.1 Ω ) t r — 170 340 turn–off 延迟时间 V GS = 10 v, R G = 9.1 Ω ) t d(止) — 70 140 下降时间 G = 9.1 Ω ) t f — 100 200 门承担 (v DS = 40 v, i D = 75 一个, V GS = 10 v) Q T — 71 100 nC (v DS = 40 v, i D = 75 一个, V GS = 10 v) Q 1 — 13 — (v DS = 40 v, i D = 75 一个, V GS = 10 v) Q 2 — 33 — Q 3 — 26 — source–drain 二极管特性向前 on–voltage (i S = 75 一个, v GS = 0) (c pk ≥ 10) (2) (i S = 20 一个, v GS = 0) (是 = 20 一个, v GS = 0, t J = 125 ° c) V SD — — 0.97 0.80 0.68 — 1.00 — Vdc 反转恢复时间 (i S = 37.5 一个, v GS = 0, dI S /dt = 100 一个/ µ s) t rr — 57 — ns (i S = 37.5 一个, v GS = 0, dI S /dt = 100 一个/ µ s) t 一个 — 40 — (i S = 37.5 一个, v GS = 0, dI S /dt = 100 一个/ µ s) t b — 17 — 反转恢复贮存承担 Q RR — 0.17 — µ C 内部的包装电感内部的流电感 (量过的从联系 screw 在 tab 至中心的消逝) (量过的从流含铅的 0.25 ″ 从包装至中心的消逝) L D — — 3.5 4.5 — — nH 内部的源电感 (量过的从这源含铅的 0.25 ″ 从包装至源 bond 垫子) L S — 7.5 — (1) 脉冲波测试: 脉冲波宽度 ≤ 300 µ s, 职责循环 ≤ 2%. (2) reflects 典型值. c pk = 绝对值的 (规格 – avg) / 3 * sigma). (3) 为精确度量, 好的 kelvin 联系必需的. (4) 切换特性是独立的运行接合面温度.

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