MTB75N05HD_集成电路资料查询网

MTB75N05HD
7
motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
0
0.5
1
1.5
2.0
2.5
3
25 50 75 100 125 150
T
一个
, 包围的 温度 (
°
c)
P
D
, 电源 消耗 (watts)
图示 15. d
2
pak 电源 减额 曲线
R
θ
JA
= 50
°
c/w
板 材料 = 0.065 mil fr–4
挂载 在 这 最小 推荐 footprint
集电级/流 垫子 大小
≈
450 毫英寸 x 350 毫英寸
包装 维度
情况 418b–02
公布 b
注释:
1. dimensioning 和 tolerancing 每 ansi
y14.5m, 1982.
2. controlling 维度: inch.
样式 2:
管脚 1. 门
2. 流
3. 源
4. 流
SEATING
平面
B
S
G
D
–T–
M
0.13 (0.005) T
2 31
4
3 pl
K
J
H
V
E
C
一个
DIM 最小值 最大值 最小值 最大值
MILLIMETERSINCHES
一个
0.340 0.380 8.64 9.65
B
0.380 0.405 9.65 10.29
C
0.160 0.190 4.06 4.83
D
0.020 0.035 0.51 0.89
E
0.045 0.055 1.14 1.40
G
0.100 bsc 2.54 bsc
H
0.080 0.110 2.03 2.79
J
0.018 0.025 0.46 0.64
K
0.090 0.110 2.29 2.79
S
0.575 0.625 14.60 15.88
V
0.045 0.055 1.14 1.40

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MTB75N05HD 7 motorola tmos 电源场效应晶体管晶体管设备数据 0 0.5 1 1.5 2.0 2.5 3 25 50 75 100 125 150 T 一个 , 包围的温度 ( ° c) P D , 电源消耗 (watts) 图示 15. d 2 pak 电源减额曲线 R θ JA = 50 ° c/w 板材料 = 0.065 mil fr–4 挂载在这最小推荐 footprint 集电级/流垫子大小 ≈ 450 毫英寸 x 350 毫英寸包装维度情况 418b–02 公布 b 注释: 1. dimensioning 和 tolerancing 每 ansi y14.5m, 1982. 2. controlling 维度: inch. 样式 2: 管脚 1. 门 2. 流 3. 源 4. 流 SEATING 平面 B S G D –T– M 0.13 (0.005) T 2 31 4 3 pl K J H V E C 一个 DIM 最小值最大值最小值最大值 MILLIMETERSINCHES 一个 0.340 0.380 8.64 9.65 B 0.380 0.405 9.65 10.29 C 0.160 0.190 4.06 4.83 D 0.020 0.035 0.51 0.89 E 0.045 0.055 1.14 1.40 G 0.100 bsc 2.54 bsc H 0.080 0.110 2.03 2.79 J 0.018 0.025 0.46 0.64 K 0.090 0.110 2.29 2.79 S 0.575 0.625 14.60 15.88 V 0.045 0.055 1.14 1.40

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