MTD1N50E
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 1. on–region 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 2. 转移 特性
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 3. on–resistance 相比 流 电流
和 温度
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
I
DSS
, 泄漏 (na)
T
J
= 25
°
C
V
DS
≥
10 v
25
°
C
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 0 v
V
GS
= 10 v
V
GS
= 10 v
I
D
= 0.5 一个
8 v
7 v
6 v
5 v
V
GS
= 10 v
25
°
C
– 55
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 10 v
15 v
T
J
= 125
°
C
2.0
1.75
0
10
8
6
4
0
6.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
10000
1
0 2 4 6 8 10 12 14 16 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 6.5
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 0 0.25
– 50 – 25 0 25 50 75 100 125 150 0 100 200 300 500
2
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
100
25
°
C
100
°
C
1.50
1.25
1.0
0.75
0.50
0.25
2.0
1.75
0
1.50
1.25
1.0
0.75
0.50
0.25
5.5 6.0
0.50 0.75 1.0 1.25 1.50 1.75 2.0
1000
10
400
T
J
= 100
°
C
– 55
°
C
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