MTD2955E
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
– 70 –2 – 4 – 7 – 8 –10
0
– 6
– 12
– 18
– 24
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 1. on–region 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
–2 – 6 – 8 – 10
0
– 8
– 16
– 20
– 24
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 2. 转移 特性
0 – 4 –10 –14 – 18 – 24
0.1
0.3
0.5
0.8
0.9
0 – 6 –12 –16 – 20 – 24
0.20
0.28
0.36
0.44
0.48
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 3. on–resistance 相比 流 电流
和 温度
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
– 50
0.6
0.8
1.6
1.8
–15 – 25 – 35 – 45 – 60
10
100
1000
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
I
DSS
, 泄漏 (na)
– 25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
= 25
°
C V
DS
≥
10 v
T
J
= – 55
°
C
25
°
C
V
GS
= 10 V
– 9– 6– 5– 3–1
T
J
= 100
°
C
25
°
C
– 55
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 10 V
5 v
6 v
7 v
8 v
15 v
9 v
– 4
–12
– 3 – 4 – 5 – 9
0.7
0.6
0.4
0.2
– 2 – 6 – 8 –12 –16 – 20 – 22 – 2 – 8– 4 –14 –18–10
0.24
0.32
0.40
– 22
1.4
1.2
1.0
– 20 – 30 – 40 – 50 – 55
V
GS
= 10 v
I
D
= 6 一个
100
°
C
V
GS
= 10 v
V
GS
= 0 V
100
°
C
25
°
C
T
J
= 125
°
C