MTD1302
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
图示 1. on–region 特性 图示 2. 转移 特性
图示 3. on–resistance 相比
流 电流 和 温度
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
1.00
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
5.0
10
40
I
D
, 流 电流 (放大器)
0.01
–25–50
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
3.0
2.0
1.0
0
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
5.0 20
1000
100
10
1.0
0.1
0
I
D
, 流 电流 (放大器)r
0
0.4 0.8 1.2
10 20 30
, drain–to–source 阻抗 (normalized)r
ds(在)
5025 10 3015
I
DSS
, 泄漏 (na)
40
2.51.0
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
10
I
D
, 流 电流 (放大器)
0
1.5 2.0 5.0
30
, drain–to–source on–resistance (ohms)
ds(在)
4010
I
D
, 流 电流 (放大器)
0.04
0.02
0.015
0.01
0.005
0
R
15 20 30
, drain–to–source on–resistance (ohms)
ds(在)
T
J
= 100
°
C
–55
°
C
25
°
C
T
J
= 25
°
C
15
20
25
30
35
0.2 0.6 1.81.6 2.01.4
4.53.0 3.5
20
15
5.0
25
15 25 35
0.02
0.03
25 35
0.035
0.03
0.025
25
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 3.0 v
4.0 v
T
J
= 125
°
C
25
°
C
–55
°
C
V
GS
= 10 v
10 v
V
GS
= 4.5 v
I
D
= 10 一个
V
GS
= 10 v
V
DS
≥
10 v
T
J
= 125
°
C
100
°
C
25
°
C
5.0 v10 v
4.0
75 100 150125
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