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资料编号:491898
 
资料名称:MTD6N15
 
文件大小: 88.65K
   
说明
 
介绍:
Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount
 
 


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MTD6N15
http://onsemi.com
5
C
rss
gate−to−source 或者 drain−to−source 电压 (伏特)
图示 11. 电容 变化
c, 电容 (pf)
V
GS
V
DS
V
DS
= 0
0
2000
1600
1200
252010
0
510
图示 12. 门 承担 相比
gate−to−source 电压
Q
g
, 总的 门 承担 (nc)
16
0
08
12
8
4
12 16 20
5
15
400
V
DS
= 50 v
V
GS
, 门 源 电压 (伏特)
T
J
= 25
°
C
I
D
= 6 一个
75 v
120 v
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0
4
800
15 30 35
C
iss
C
oss
resistive 切换
脉冲波 发生器
V
DD
V
输出
V
R
gen
50
z = 50
50
DUT
R
L
图示 13. 切换 测试 电路
t
输出, v
输出
INVERTED
t
t
r
t
d(止)
t
f
t
d(在)
90%90%
10%
输入, v
10%
50%
90%
50%
脉冲波 宽度
图示 14. 切换 波形
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