MTP36N06V
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
0 1 2 3
0
18
72
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 1. on–region 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
1 3 5 7 9
0
18
54
72
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 2. 转移 特性
0 18 36 72
0.02
0.06
0.04
0.1
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
0 36 54 72
0.028
0.036
0.044
0.052
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 3. on–resistance 相比 流 电流
和 温度
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
0 10 20 40 50 60
10
100
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
I
DSS
, 泄漏 (na)
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 10 v
9 v
8 v
6 v
5 v
7 v
V
GS
= 10 v
T
J
= 100
°
C
25
°
C
– 55
°
C
25
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 10 v
15 v
V
GS
= 0 v
T
J
= 125
°
C
36
54
4
36
54 18
30
V
DS
≥
10 v
T
J
= 100
°
C
–55
°
C
4 v
2
4 6 8
0.08
0
1000
1
100
°
C
25
°
C
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
– 50
0.6
0.8
1.2
1.6
1.8
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
– 25 0 25 50 75 100 125 150
V
GS
= 10 v
I
D
= 16 一个
1
1.4
175
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