MTW24N40E
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
0 1020304050
0 2.0 4.0 6.0 8.0 10
0
20
30
40
50
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 1. on–region 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
2.0 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
0
20
30
40
50
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 2. 转移 特性
0 1020304050
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.12
0.13
0.15
0.17
0.19
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 3. on–resistance 相比 流 电流
和 温度
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
–50
0
1.0
2.0
2.5
3.0
0 100 200 300 400
1
10
100
1000
10000
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
I
DSS
, 泄漏 (na)
– 25 0 25 50 75 100 125 150
V
GS
= 0 v
V
GS
= 10 v
I
D
= 12 一个
T
J
= 25
°
C
10
9 v
8 v
7 v
6 v
5 v
4 v
V
GS
= 10 v
V
DS
≥
10 v
100
°
C
25
°
C
T
J
= – 55
°
C
10
5.5 6.0 6.5 7.02.5
0.05
0.15
0.25
0.35
T
J
= 100
°
C
25
°
C
–55
°
C
V
GS
= 10 v
0.14
0.16
0.18
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 10 v
0.5
1.5
T
J
= 125
°
C
100
°
C
25
°
C
15 v
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