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资料编号:492848
 
资料名称:MUN2214T1G
 
文件大小: 150.44K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
 
 


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leshan 无线电 公司, 有限公司.
mun2211t1 series–9/11
mun2211t1 序列
典型 电的 特性 – mun2236t1
100
1
0.1
0102030355
100
10
0510
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
V
R
, 反转 偏差 电压 (伏特)
图示 22. v
ce(sat)
相比 i
C
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
010203040
图示 23. 直流 电流 增益
0.1 1 100
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 24. 输出 电容 图示 25. 输出 电流 相比 输入 电压
V
, 输入 电压 (伏特)
图示 26. 输入 电压 相比 输出 电流
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
1
0.1
0.01
V
CE
= 10 v
1000
100
10
10
f = 1 mhz
l
E
= 0 v
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
75
°
C
25
°
C
T
一个
= –25
°
C
V
O
= 5 v
V
O
= 0.2 v
T
一个
= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
V
ce(sat)
, 集电级 电压 (伏特)
I
C
/i
B
= 10
h
FE
, 直流 电流 增益
T
一个
= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
C
ob
, 电容 (pf)
5
4.5
15 20 25 30 35 40
1
0.1
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
15 25
10
V
, 输入 电压 (伏特)
5152535
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