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资料编号:495040
 
资料名称:MW4IC915GNBR1
 
文件大小: 334.69K
   
说明
 
介绍:
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
 
 


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mw4ic915mbr1 mw4ic915gmbr1
4
motorola rf 设备 数据
Z6 0.157
x 0.283
Microstrip
Z7 0.429
x 0.283
Microstrip
Z8 0.394
x 0.088
Microstrip
Z9 0.181
x 0.088
Microstrip
PCB taconic tlx8, 0.030
,
ε
r
= 2.55
图示 1. 二-声调 860-960 mhz 测试 fixture 图式
Z1 0.086
, 50
Microstrip
Z2 0.133
x 0.236
Microstrip
Z3 0.435
x 0.283
Microstrip
Z4 0.171
x 0.283
Microstrip
Z5 0.429
x 0.283
Microstrip










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  
 

 




 
 
 



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


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



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





表格 1. 二-声调 860-960 mhz 测试 fixture 组件 designations 和 值
Designators 描述
c1, c6, c9, c14
22
f, 35 v tantalum 碎片 电容, avx #taje226m035r
c2, c5, c8, c11 1000 pf 碎片 电容, b 情况, atc #100b102jca500x
c3, c4, c7, c10, c16 22 pf 碎片 电容, b 情况, atc #100b220jca500x
c12, c13 10 pf 碎片 电容, b 情况, atc #100b100jca500x
C15
10
f tantalum 碎片 电容, kemet #t491x226k035as4394
r1, r2 10 k
, 1/4 w 碎片 电阻 (1206)
L1 12.5 nh inductor
m1, m2, m3, m4
0.283
, 90
mitered microstrip bends
F
r
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s
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一个
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