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资料编号:495043
 
资料名称:MW4IC915NBR1
 
文件大小: 334.69K
   
说明
 
介绍:
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
 
 


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4
rf 设备 数据
freescale 半导体
mw4ic915nbr1 mw4ic915gnbr1 mw4ic915mbr1 mw4ic915gmbr1
Z6 0.157
x 0.283
″
Microstrip
Z7 0.429
x 0.283
″
Microstrip
Z8 0.394
x 0.088
″
Microstrip
Z9 0.181
x 0.088
″
Microstrip
PCB taconic tlx8, 0.030
,
ε
r
= 2.55
图示 3. mw4ic915nbr1(mbr1)(gnbr1)(gmbr1) 测试 fixture 图式
Z1 0.086
, 50
Microstrip
Z2 0.133
x 0.236
″
Microstrip
Z3 0.435
x 0.283
″
Microstrip
Z4 0.171
x 0.283
″
Microstrip
Z5 0.429
x 0.283
″
Microstrip











  
 

 




 
 
 













 
 
表格 6. mw4ic915nbr1(mbr1)(gnbr1)(gmbr1) 测试 fixture 组件 designations 和 值
部分 描述 部分 号码 生产者
c1, c6, c9, c14
22
f, 35 v tantalum 碎片 电容
TAJE226M035R AVX
c2, c5, c8, c11 1000 pf 碎片 电容 100B102JCA500X C
c3, c4, c7, c10, c16 22 pf 碎片 电容 100B220JCA500X C
c12, c13 10 pf 碎片 电容 100B100JCA500X C
C15
10
f tantalum 碎片 电容
T491X226K035AS4394 Kemet
L1 12.5 nh inductor
m1, m2, m3, m4
0.283
, 90
mitered microstrip bends
r1, r2 10 k
, 1/4 w 碎片 电阻 (1206)
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