mwic930r1 mwic930gr1
1
rf 设备 数据
freescale 半导体
rf ldmos wideband 整体的
电源 放大器
这 mwic930 wideband 整体的 电路 是 设计 为 cdma 和
gsm/gsm 边缘 产品. 它 使用 freescale’s newest 高 电压 (26 至
28 伏特) ldmos ic 技术 和 integrates 一个 multi-平台 结构. 它的
wideband 在-碎片 integral 相一致 电路系统 制造 它 usable 从 790 至
1000 mhz. 这 线性 performances 覆盖 所有 modulations 为 cellular
产品: gsm, gsm 边缘, tdma, n-cdma 和 w-cdma.
最终 应用
•
典型 效能 @ p1db: v
DD
= 26 伏特, i
DQ1
= 90 毫安, i
DQ2
=
240 毫安, p
输出
= 30 watts p1db, 全部 频率 带宽 (921-960 mhz)
电源 增益 — 30 db
电源 增加 效率 — 45%
驱动器 应用
•
典型 单独的-运输车 n-cdma 效能: v
DD
= 27 伏特, i
DQ1
=
90 毫安, i
DQ2
= 240 毫安, p
输出
= 5 watts avg., 全部 频率 带宽
(865-894 mhz), 是-95 (领航员, 同步, paging, 交通量 代号 8 通过 13),
频道 带宽 = 1.2288 mhz. 顶峰/avg. = 9.8 db @ 0.01%
probability 在 ccdf.
电源 增益 — 31 db
电源 增加 效率 — 21%
acpr @ 750 khz 补偿 —-52 dbc
@ 30 khz 带宽
•
有能力 的 处理 5:1 vswr, @ 26 vdc, 921 mhz, 30 watts cw 输出
电源
•
典型 和 序列 相等的 大-信号 阻抗 参数
•
在-碎片 相一致 (50 ohm 输入, 直流 blocked, >4 ohm output)
•
整体的 安静的 电流 温度 补偿 和
使能/使不能运转 函数
•
在-碎片 电流 mirror g
m
涉及 场效应晶体管 为 自 偏置 应用
(1)
•
整体的 静电释放 保护
•
也 有 在 gull wing 为 表面 挂载
•
在 录音带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 每 44 mm, 13 inch 卷轴.
1. 谈及 至 an1987/d,
安静的 电流 控制 为 这 rf 整体的 电路 设备 家族.
go 至 http://www.freescale.com/rf.
选择 必备资料/应用 注释-an1987.
MWIC930
rev. 2, 12/2004
freescale 半导体
技术的 数据
746-960 mhz, 30 w, 26-28 v
单独的 n-cdma, gsm/gsm 边缘
rf ldmos wideband 整体的
电源 放大器
情况 1329-09
至-272 wb-16
塑料
MWIC930R1
MWIC930R1
MWIC930GR1
情况 1329a-03
至-272 wb-16 gull
塑料
MWIC930GR1
图示 1. 函数的 块 图解 图示 2. 管脚 连接
(顶 视图)
地
V
RD1
RF
在
V
GS1
地
V
RD2
RF
输出/
V
DS2
地
V
GS2
地
V
RG2
V
DS1
V
RG1
NCNC
NC
V
GS1
RF
在
V
DS1
V
GS2
V
DS2
/rf
输出
安静的 电流
温度 补偿
V
RD2
V
RG2
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
9
10
11
1
便条: exposed backside 标记 是 源
终端 为 晶体管.
V
RD1
V
RG1
freescale 半导体, inc., 2004. 所有 权利 保留.
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