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文档 号码 83690
rev. 1.4, 10-jan-05
brt21/ 22/ 23
vishay 半导体
绝对 最大 比率
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
压力 在 excess 的 这 绝对 最大 比率 能 cause 永久的 损坏 至 这 设备. functional 运作 的 这 设备是
不 暗指 在 这些 或者 任何 其它 情况在 excess 的 那些 给 在 这 operational sections 的 这个文档. 暴露 至绝对
最大 比率 为 扩展 时期 的 这时间 能 反而 影响 可靠性.
输入
输出
Coupler
参数 测试 情况 标识 Value 单位
反转 电压 I
R
= 10
µ
AV
R
6.0 V
向前 电流 I
F
60 毫安
surge 电流 I
FSM
2.5 一个
电源 消耗 P
diss
100 mW
减额 从 25 °C 1.33 mw/°c
参数 测试 情况 Part 标识 Value 单位
顶峰 止-状态 电压 I
d(rms)
= 70
µ
ABRT21V
DM
400 V
BRT22 V
DM
600 V
BRT23 V
DM
800 V
rms 在-状态 电流 I
TM
300 毫安
单独的 循环 surge 电流 3.0 一个
电源 消耗 P
diss
600 mW
减额 从 25 °C 6.6 mw/°c
参数 测试 情况 标识 Value 单位
分开 测试 电压 (在
发射级 和 探测器, climate 每
din 500414, 部分 2, 十一月 74)
t = 1.0 最小值 V
ISO
5300 V
RMS
pollution 程度 (din vde
0109)
2
Creepage
≥
7.0 mm
Clearance
≥
7.0 mm
comparative 追踪 index 每
din iec 112/vde 0303 部分 1,
组 iiia 每 din vde 6110
≥
175
分开 阻抗 V
IO
= 500 v, t
amb
= 25 °C R
IO
≥
10
12
Ω
V
IO
= 500 v, t
amb
= 100 °C R
IO
≥
10
11
Ω
存储 温度 范围 T
stg
- 55 至 + 150 °C
包围的 温度 范围 T
amb
- 55 至 + 100 °C
焊接 温度 最大值
≤
10 秒. 插件 焊接
≥
0.5 mm 从 情况 bottom
T
sld
260 °C
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