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资料编号:499934
 
资料名称:SDU30N03L
 
文件大小: 34.8K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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sdu/d30n03l
图示 5. 门 门槛 变化
和 温度
图示 6. 损坏 电压 变化
和 温度
vth, normalized
门-源 门槛 电压
g
FS
, 跨导 (s)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
BV
DSS
, normalized
流-源 损坏 电压
是, 源-流 电流 (一个)
图示 7. 跨导 变化
和 流 电流
I
DS
, 流-源 电流 (一个)
图示 9. 门 承担
qg, 总的 门 承担 (nc)
图示 10. 最大 safe
运行 范围
V
DS
, 流-源 电压 (v)
图示 8. 身体 二极管 向前 电压
变化 和 源 电流
V
SD
, 身体 二极管 向前 电压 (v)
tj, 接合面 温度 ( c)
tj, 接合面 温度 ( c)
I
D
, 流 电流 (一个)
4
6
40
10
0.1
1.0
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
V
DS
=V
GS
I
D
=250uA
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
ID=250uA
40
30
20
10
50
60
0
0 5 10 15 20
V
DS
=10V
10
8
6
4
2
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
V
DS
=15V
I
D
=20A
300
200
100
10
0.5
0.1
1
1103060
V
GS
=10V
单独的 脉冲波
tc=25 c
R
DS
(在) 限制
直流
1s
100ms
10ms
1ms
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