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初步的 数据
April 2003
STP4NB50
STP4NB50FP
n-频道 500V - 2.5
Ω
- 3.8a - 至-220/至-220fp
PowerMesh™ 场效应晶体管
(1)i
SD
≤
4a,di/dt
≤
200a/µs, V
DD
≤
V
(br)dss
,t
j
≤
T
JMAX
■
典型 R
DS
(在) = 2.5
Ω
■
极其 高 dv/dt 能力
■
100% AVALANCHE 测试
■
非常 低 INTRINSIC CAPACITANCES
■
门 承担 使减少到最低限度
描述
使用 这 最新的 高 电压 MESH OVERLAY™
处理, 意法半导体 有 设计 一个 ad-
vanced 家族 的 电源 MOSFETs 和 优秀的
performances. 这 新 专利权 pending strip 布局
结合 和 这 Company’s proprieraty 边缘 termi-
nation 结构, 给 这 最低 rds(在) 每 范围,
exceptional avalanche 和 dv/dt 能力 和
unrivalled 门 承担 和 切换 characteris-
tics.
产品
■
高 电流, 高 速 切换
■
SWITH 模式 电源 供应 (smps)
■
直流-交流 转换器 为 WELDING
设备 和 UNINTERRUPTIBLE
电源 供应 和 发动机 驱动
绝对 最大 比率
(•)脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STP4NB50
STP4NB50FP
500 V
500 V
< 2.8
Ω
< 2.8
Ω
3.8 一个
2.5 一个
标识 参数 值 单位
STP4NB50 STP4NB50FP
V
DS
流-源 电压 (v
GS
=0)
500 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
=20k
Ω
)
500 V
V
GS
门- 源 电压 ±30 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
C
= 25°C
3.8 2.5 一个
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
C
= 100°C
2.4 1.6 一个
I
DM
(
)
流 电流 (搏动) 15.2 15.2 一个
P
TOT
总的 消耗 在 T
C
= 25°C
80 35 W
减额 因素 0.64 0.28 w/°c
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 4.5 v/ns
V
ISO
绝缘 承受 电压 (直流) - 2500 V
T
stg
存储 温度 –65 至 150 °C
T
j
最大值 运行 接合面 温度 150 °C
至-220
1
2
3
1
2
3
至-220fp
内部的 图式 图解
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