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资料编号:513269
 
资料名称:ND2020L
 
文件大小: 76.96K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Depletion-Mode MOSFET Transistors
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
nd2012l/2020l
4 Siliconix
s-52426—rev. c, 14-apr-97
典型 特性 (25
c 除非 否则 指出) (内容’d)
100
10
1
1 10010
V
DD
= 25 v
V
GS
= 0 至 –5 v
R
G
= 25
10 k
职责 循环 = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
1
0.01
0.1
0.01
0.1 1 10010 1 k
向前 跨导 和 输出
conductance vs. 流 电流
normalized 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-包围的 (至-226aa)
电容 加载 情况 影响 在 切换
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
t
1
– 正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
I
D
– 流 电流 (一个)v
DS
– 流-至-源 电压 (v)
c – 电容 (pf)
t – 切换 时间 (ns)
t
d(在)
t
d(止)
t
r
t
f
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 156
c/w
3. t
JM
– t
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
注释:
P
DM
t
2
I
D
– 流 电流 (一个)t
J
– 接合面 温度 (
c)
r
ds(在)
– 流-源 在-阻抗
(normalized)
normalized 在-阻抗
vs. 接合面 温度
g
fs
– 向前 跨导 (ms)
s)g
os
– 输出 conductance (
2.25
2.00
1.75
0.50
–50 –10 150
1.50
1.25
30 70 110
1.00
0.75
V
GS
= 0 v
I
D
= 20 毫安
700
300
100
500
400
200
600
350
150
50
1 10 100 1 k
250
200
100
300
0
0
V
DS
= 7.5 v
脉冲波 测试
80 ms, 1% 职责 循环
120
100
80
0
60
40
20
010 5020 30 40
C
iss
C
rss
C
oss
g
fs
g
os
V
GS
= –5 v
f = 1 mhz
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