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资料编号:513817
 
资料名称:NDS0610
 
文件大小: 553.28K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= -10µ一个 -60 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= -48 v,V
GS
= 0 v -1 µ一个
T
J
= 125°c -200 µ一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前 V
GS
= 20 v,V
DS
= 0 v 10 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转 V
GS
= -20 v,V
DS
= 0 v -10 nA
在 特性
(便条 1)
V
GS(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= -1 毫安 -1 -2.4 -3.5 V
T
J
= 125°c -0.6 -2.1 -3.2
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗 V
GS
= -10 v,I
D
= -0.5 一个 3.6 10
T
J
= 125°c 5.9 16
V
GS
= -4.5 v,I
D
= -0.25 一个 5.2 20
T
J
= 125°c 7.9 30
I
D(在)
在-状态 流 电流 V
GS
= -10 v, v
DS
= -10 v -0.6 -1.6 一个
V
GS
= -4.5 v, v
DS
= -10 v -0.35
g
FS
向前 跨导 V
DS
= -10 v, i
D
= -0.1 一个 70 170 mS
动态特性
C
iss
输入 电容 V
DS
= -25 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
40 60 pF
C
oss
输出 电容 11 25 pF
C
rss
反转 转移 电容 3.2 5 pF
切换 chARACTERISTICS
(便条 1)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间 V
DD
= -25 v, i
D
= -0.18一个,
V
GS
= -10 v, r
GEN
= 25
7 10 nS
t
r
转变 - 在 上升 时间 5 15 nS
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间 13 15 nS
t
f
转变 - 止 下降 时间 10 20 nS
Q
g
总的 门 承担 V
DS
= -48 v,
I
D
= -0.5 一个, v
GS
= -10 v
1.43 nC
Q
gs
门-源 承担 0.6 nC
Q
gd
门-流 承担 0.25 nC
流-源 二极管 特性
I
S
最大 持续的 源 电流 -0.18 一个
I
SM
最大 脉冲波 源 电流(便条 1) -1 一个
V
SD
流-源 二极管 向前 电压
V
GS
= 0 v,I
S
= -0.5 一个
(便条 1)
-1.2 -1.5 V
T
J
= 125°c -0.98 -1.3
t
rr
反转 恢复 时间 V
GS
= 0 v, i
S
= -0.5 一个,
dI
F
/dt = 100 一个/µs
40 ns
I
rr
反转 恢复 电流 2.8 一个
便条:
1. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度<300
µ
s, 职责 循环<2.0%.
nds0610.sam
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