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资料编号:513830
 
资料名称:NDS8926
 
文件大小: 331.08K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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Nds8926 rev. d2
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
v = 4.5v
GS
i = 5.5a
D
r , normalized
ds(在)
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
t , 接合面 温度 (°c)
门-源 门槛 电压
J
i = 250µa
D
v = v
DS GS
v , normalized
th
0 5 10 15 20 25 30
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
v = 2.0v
GS
D
r , normalized
ds(在)
3.5
4.5
2.7
3.0
2.5
0 5 10 15 20 25 30
0.5
1
1.5
2
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
t = 125°c
J
25°C
D
v = 4.5 v
GS
-55°c
r , normalized
ds(在)
典型 电的 特性
图示 1. 在-区域 特性.
图示 2.在-阻抗 变化 with
电压 和 流 电流.
图示 3.在-阻抗 变化
温度.
图示 4.在-阻抗 变化 和 流
电流 和 温度.
图示 5.转移 特性.
图示 6.门 门槛 变化 和
温度.
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
0
5
10
15
20
25
30
v , 门 至 源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
25°C
125°C
v = 5.0v
DS
GS
D
t = -55°c
J
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
0
5
10
15
20
25
30
v , 流-源 电压 (v)
i , 流-源 电流 (一个)
3.5
3.0
2.7
v =4.5v
GS
DS
D
2.5
1.5
2.0
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