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资料编号:513834
资料名称:
NDS9936
文件大小: 343.83K
说明
:
介绍
:
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识
参数
情况
最小值
典型值
最大值
单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压
V
GS
= 0 v, i
D
= 250 µa
30
V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 24
v,
V
GS
= 0 v
2
µ
一个
T
J
= 55°c
20
µ
一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前
V
GS
= 20 v,
V
DS
= 0 v
100
nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -20 v,
V
DS
= 0 v
-100
nA
在 特性
(便条 2
)
V
GS
(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250 µa
1
1.4
3
V
T
J
=125°C
0.7
1.1
2.2
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
= 10 v,
I
D
= 5
一个
0.044
0.05
Ω
T
J
=125°C
0.066
0.1
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 3.9
一个
0.066
0.08
T
J
=125°C
0.099
0.16
I
D
(在)
在-状态 流 电流
V
GS
= 10 v, v
DS
= 10 v
40
一个
V
GS
= 4.5 v, v
DS
= 10 v
20
g
FS
向前 跨导
V
DS
= 10 v, i
D
= 3.5 一个
3
8
S
动态
特性
C
iss
输入 电容
V
DS
= 15
v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
525
pF
C
oss
输出 电容
315
pF
C
rss
反转 转移 电容
185
pF
切换 ch
ARACTERISTICS
(便条 2
)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间
V
DD
= 15
v, i
D
= 1 一个,
V
GS
= 10 v, r
GEN
= 6
Ω
12
30
ns
t
r
转变 - 在 上升 时间
10
25
ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间
25
50
ns
t
f
转变 - 止 下降 时间
10
50
ns
Q
g
总的 门 承担
V
DS
= 15
v,
I
D
= 5
一个, v
GS
= 10 v
17
35
nC
Q
gs
门-源 承担
1.5
nC
Q
gd
门-流 承担
3.7
nC
nds9936.sam
© 1993 仙童 半导体 公司
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