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资料编号:513840
资料名称:
NDS9959
文件大小: 340.08K
说明
:
介绍
:
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识
参数
情况
最小值
典型值
最大值
单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压
V
GS
= 0 v, i
D
= 250 µa
50
V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 40 v,
V
GS
= 0 v
2
µ
一个
T
J
= 55°c
25
µ
一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前
V
GS
= 20 v,
V
DS
= 0 v
100
nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -20 v,
V
DS
= 0 v
-100
nA
在 特性
(note2
)
V
GS
(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250 µa
2
3
4
V
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
= 10 v,
I
D
= 1.5 一个
0.3
Ω
V
GS
= 5 v,
I
D
= 0.6 一个
0.5
I
D
(在)
在-状态 流 电流
V
GS
= 10 v, v
DS
= 5 v
8
一个
g
FS
向前 跨导
V
DS
= 15 v, i
D
= 2.0 一个
1
2.7
S
动态
特性
C
iss
输入 电容
V
DS
= 25 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
152
250
pF
C
oss
输出 电容
50
85
pF
C
rss
反转 转移 电容
12
25
pF
切换 ch
ARACTERISTICS
(便条 2)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间
V
DD
= 30
v, i
D
= 0.6
一个,
V
GS
= 10 v, r
L
= 50
Ω
,
R
GEN
= 6
Ω
4
40
ns
t
r
转变 - 在 上升 时间
8
70
ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间
9
100
ns
t
f
转变 - 止 下降 时间
11
70
ns
Q
g
总的 门 承担
V
DS
= 25 v,
I
D
= 1.3
一个, v
GS
= 10 v
4.3
15
nC
Q
gs
门-源 承担
1.1
nC
Q
gd
门-流 承担
1.5
nC
nds9959.sam
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