NDS9933A
nds9933a rev. 一个
NDS9933A
双 p-频道 增强 模式 地方 效应 晶体管
一般 描述
这个 p-频道 增强 模式 电源 地方 ef-
fect 晶体管 是 生产 使用 仙童’s propri-
etary, 高 cell 密度, dmos 技术. 这个 非常
高 密度 处理 是 特别 tailored 至 迷你-
mize 在-状态 阻抗 和 提供 更好的
切换 效能.
这些 设备 是 特别 suited 为 低 电压
apllications 此类 作 直流 发动机 控制 和 直流/
直流 转换 在哪里 快 切换,低 在-线条
电源 丧失, 和 阻抗 至 过往旅客 是
需要.
january 1999
特性
•
-2.8 一个, -20 v. r
ds(在)
= 0.14
Ω
@ v
GS
= -4.5 v
R
ds(在)
= 0.19
Ω
@ v
GS
= -2.7 v
R
ds(在)
= 0.20
Ω
@ v
GS
= -2.5 v.
•
高 密度 cell 设计 为 极其 低 r
ds(在)
.
•
高 电源 和 电流 处理 能力 在 一个
widely 使用 表面 挂载 包装.
1999 仙童 半导体 公司
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 NDS9933A 单位
V
DSS
流-源 电压 -20 V
V
GSS
门-源 电压
±
8V
I
D
流 电流 - 持续的
(便条 1a)
-2.8 一个
- 搏动 -10
电源 消耗 为 双 运作 2
电源 消耗 为 单独的 运作
(便条 1a)
1.6
(便条 1b)
1
P
D
(便条 1c)
0.9
W
T
J
, t
stg
运行 和 存储 接合面 温度 范围 -55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
78
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
40
°
c/w
包装 轮廓 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
NDS9933A NDS9933A 13’’ 12mm 2500 单位
•
双 场效应晶体管 在 表面 挂载 包装.
1
5
7
8
2
3
4
6
所以-8
D1
D1
D2
D2
S1
G1
S2
G1
: 点此下载
