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资料编号:513847
 
资料名称:NDS9953A
 
文件大小: 342.68K
   
说明
 
介绍:
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= -250 µa -30 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= -24v,V
GS
= 0 v
-2 µ一个
T
J
= 55°c
-25 µ一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前 V
GS
= 20 v,V
DS
= 0 v 100 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -20 v,V
DS
= 0 v
-100 nA
在 特性
(便条 2)
V
GS(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= -250 µa -1 -1.6 -2.8 V
T
J
= 125°c
-0.85 -1.25 -2.5
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
= -10 v,I
D
= -1.0一个
0.11 0.13
T
J
= 125°c 0.15 0.21
V
GS
= -4.5 v,I
D
= -0.5一个
0.17 0.2
T
J
= 125°c
0.24 0.32
I
D(在)
在-状态 流 电流 V
GS
= -10 v, v
DS
= -5V -10 一个
V
GS
= -4.5 v, v
DS
= -5V
-1.5
g
FS
向前 跨导 V
DS
= -15v, i
D
= -2.9一个 4 S
动态特性
C
iss
输入 电容
V
DS
= -10v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
350 pF
C
oss
输出 电容 260 pF
C
rss
反转 转移 电容 100 pF
切换特性
(便条 2)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间 V
DD
= -10v, i
D
= -1 一个,
V
GEN
= -10 v, r
GEN
= 6
9 40 ns
t
r
转变 - 在 上升 时间 21 40 ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间 21 90 ns
t
f
转变 - 止 下降 时间 8 50 ns
Q
g
总的 门 承担 V
DS
= -10v,
I
D
= -2.9一个, v
GS
= -10 v
10 25 nC
Q
gs
门-源 承担 1.6 nC
Q
gd
门-流 承担 3.4 nC
NDS9953A.sam
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