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资料编号:513851
 
资料名称:NDS331N
 
文件大小: 59.64K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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nds331n rev.e
图示 1. 在-区域 特性.
0 1 2 3
0
1
2
3
4
v , 流-源 电压 (v)
i , 流-源 电流 (一个)
3.0
2.7
v =4.5v
GS
DS
D
2.5
1.5
2.0
图示 2. 在-阻抗 变化
和 流 电流 和 门 电压.
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
t = 125°c
J
25°C
D
v = 2.7 v
GS
-55°c
r , normalized
ds(在)
图示 4. 在-阻抗 变化
和 流 电流 和 温度
.
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
v = 2.7v
GS
i = 1.3a
D
r , normalized
ds(在)
图示 3. 在-阻抗 变化
和 温度
.
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
0
1
2
3
4
v , 门 至 源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
25°C
125°C
v = 5.0v
DS
GS
D
t = -55°c
J
图示 5. 转移 特性
.
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
t , 接合面 温度 (°c)
门-源 门槛 电压
J
i = 250µa
D
v = v
DS GS
v , normalized
th
图示 6. 门 门槛 变化
和 温度
.
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
v = 2.0v
GS
D
r , normalized
ds(在)
3.5
4.5
2.7
3.0
2.5
典型 电的 特性
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