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资料编号:513868
 
资料名称:NDS9435A
 
文件大小: 219.85K
   
说明
 
介绍:
Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= -250 µa -30 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= -24v,V
GS
= 0 v -1 µ一个
V
DS
= -15v,V
GS
= 0 v T
J
= 70°C -5 µ一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前 V
GS
= 20 v,V
DS
= 0 v 100 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转 V
GS
= -20 v,V
DS
= 0 v -100 nA
在 特性
(便条 2)
V
GS(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= -250 µa -1 -1.4 V
T
J
= 125°C -0.7 -1
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗 V
GS
= -10 v,I
D
= -5.3一个 0.038 0.05
T
J
= 125°C 0.054 0.1
V
GS
= -6 v, i
D
= -4.7一个 0.046 0.07
V
GS
= -4.5 v,I
D
= -4.2一个 0.064 0.09
I
D(在)
在-状态 流 电流 V
GS
= -10 v, v
DS
= -5 v -20 一个
V
GS
= -4.5, v
DS
= -5v -5
g
FS
向前 跨导 V
DS
=15 v, i
D
= 5.3一个 10 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 V
DS
= 15 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
950 pF
C
oss
输出 电容 610 pF
C
rss
反转 转移 电容 220 pF
切换 chARACTERISTICS
(便条 2)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间 V
DD
= -15v, i
D
= -1 一个,
V
GEN
= -10 v, r
GEN
= 6
10 30 ns
t
r
转变 - 在 上升 时间 18 60 ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间 80 120 ns
t
f
转变 - 止 下降 时间 45 100 ns
Q
g
总的 门 承担 V
DS
= -15 v,
I
D
= -5.3一个, v
GS
= -10 v
29 40 nC
Q
gs
门-源 承担 3 nC
Q
gd
门-流 承担 9 nC
nds9435a rev b
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