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资料编号:513888
资料名称:
NDT452AP
文件大小: 92.94K
说明
:
介绍
:
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识
参数
情况
最小值
典型值
最大值
单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压
V
GS
= 0 v, i
D
= -250 µa
-30
V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= -
24
v,
V
GS
= 0 v
-1
µ
一个
T
J
= 55°c
-10
µ
一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前
V
GS
= 20
v,
V
DS
= 0 v
100
nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -20 v,
V
DS
= 0 v
-100
nA
在 特性
(便条 2
)
V
GS
(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= -250 µa
-1
-1.6
-2.8
V
T
J
= 125°c
-0.7
-1.2
-2.2
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
= -10
v,
I
D
= -5
.0
一个
0.052
0.065
Ω
T
J
= 125°c
0.075
0.13
V
GS
= -4.5
v,
I
D
= -4.3
一个
0.085
0.1
I
D
(在)
在-状态 流 电流
V
GS
= -10
v, v
DS
= -5
V
-15
一个
V
GS
= -4.5
v, v
DS
= -5
V
-5
g
FS
向前 跨导
V
DS
= -10 v, i
D
= -5
.0
一个
7
S
动态 特性
C
iss
输入 电容
V
DS
= -15 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
690
pF
C
oss
输出 电容
430
pF
C
rss
反转 转移 电容
160
pF
切换 ch
ARACTERISTICS
(便条 2
)
t
d(在
)
转变 - 在 延迟 时间
V
DD
= -10
v, i
D
= -1 一个,
V
GEN
= -10 v, r
GEN
= 6
Ω
9
20
ns
t
r
转变 - 在 上升 时间
20
30
ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间
40
50
ns
t
f
转变 - 止 下降 时间
19
40
ns
Q
g
总的 门 承担
V
DS
= -10 v,
I
D
= -5
.0
一个, v
GS
= -10 v
22
30
nC
Q
gs
门-源 承担
3.2
nC
Q
gd
门-流 承担
5.2
nC
ndt452ap rev. b1
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