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资料编号:513888
 
资料名称:NDT452AP
 
文件大小: 92.94K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= -250 µa -30 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= -24v,V
GS
= 0 v
-1 µ一个
T
J
= 55°c
-10 µ一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前 V
GS
= 20v,V
DS
= 0 v 100 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -20 v,V
DS
= 0 v
-100 nA
在 特性
(便条 2)
V
GS(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= -250 µa -1 -1.6 -2.8 V
T
J
= 125°c
-0.7 -1.2 -2.2
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
= -10v,I
D
= -5.0一个
0.052 0.065
T
J
= 125°c 0.075 0.13
V
GS
= -4.5v,I
D
= -4.3一个
0.085 0.1
I
D(在)
在-状态 流 电流 V
GS
= -10v, v
DS
= -5V -15 一个
V
GS
= -4.5v, v
DS
= -5V
-5
g
FS
向前 跨导 V
DS
= -10 v, i
D
= -5.0一个 7 S
动态 特性
C
iss
输入 电容
V
DS
= -15 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
690 pF
C
oss
输出 电容 430 pF
C
rss
反转 转移 电容 160 pF
切换 chARACTERISTICS
(便条 2)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间
V
DD
= -10v, i
D
= -1 一个,
V
GEN
= -10 v, r
GEN
= 6
9 20 ns
t
r
转变 - 在 上升 时间 20 30 ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间 40 50 ns
t
f
转变 - 止 下降 时间 19 40 ns
Q
g
总的 门 承担
V
DS
= -10 v,
I
D
= -5.0一个, v
GS
= -10 v
22 30 nC
Q
gs
门-源 承担 3.2 nC
Q
gd
门-流 承担 5.2 nC
ndt452ap rev. b1
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