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资料编号:513888
 
资料名称:NDT452AP
 
文件大小: 92.94K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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ndt452ap rev. b1
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.94
0.96
0.98
1
1.02
1.04
1.06
1.08
1.1
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 损坏 电压
i = -250µa
D
bv , normalized
DSS
J
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2
0.001
0.01
0.1
1
5
10
20
-v , 身体 二极管 向前 电压 (v)
-i , 反转 流 电流 (一个)
t = 125°c
J
25°C
-55°c
v = 0v
GS
SD
S
0 5 10 15 20 25
0
2
4
6
8
10
q , 门 承担 (nc)
-v , 门-源 电压 (v)
g
GS
i = -5.0a
D v = -5v
DS
-10v
-20v
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 30
100
200
300
500
1000
2000
-v , 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
DS
C
iss
f = 1 mhz
v = 0v
GS
C
oss
C
rss
图示 7.损坏 电压 变化 和
温度.
图示 8.身体 二极管 向前 电压 变化
和 电流 和 温度
.
图示 9.电容 特性.
图示 10.门 承担 特性.
典型 电的 特性
D
S
-v
DD
R
L
V
输出
V
GS
DUT
V
R
GEN
G
图示 11.切换 测试 电路. 图示 12.切换 波形.
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
V
输出
d(止)
f
r
d(在)
t t
t
tt
t
INVERTED
10%
Pulse 宽度
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