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日期 发行 六月 2000 ns cp(k)
打印 在 日本
©
1998, 2000
n-频道 gaas hj-场效应晶体管
NE651R479A
0.4 w l-带宽 电源 gaas hj-场效应晶体管
这 mark
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显示 主要的 修订 点.
描述
这 ne651r479a 是 一个 0.4 w gaas hj-场效应晶体管 设计 为 middle 电源 传输者 产品 为 mobile
交流 和 无线的 pc lan 系统. 它 是 有能力 的 传送 0.4 w 的 输出 电源 (cw) 和 高 直线的
增益, 高 效率 和 极好的 扭曲量 和 作 一个 驱动器 放大器 为 我们的 ne6510179a 和 ne6510379a.
可靠性 和 效能 统一 是 使确信 用 nec’s stringent 质量 和 控制 程序.
特性
• gaas hj-场效应晶体管 结构
• 高 输出 电源 : p
输出
= +27.0 dbm 典型值 @ v
DS
= 3.5 v, i
Dset
= 50 毫安, f = 900 mhz, p
在
= +13 dbm
P
输出
= +27.0 dbm 典型值 @ v
DS
= 3.5 v, i
Dset
= 50 毫安, f = 1.9 ghz, p
在
= +15 dbm
P
输出
= +29.5 dbm 典型值 @ v
DS
= 5.0 v, i
Dset
= 50 毫安, f = 1.9 ghz, p
在
= +15 dbm
• 高 直线的 增益 : g
L
= 14.0 db 典型值 @ v
DS
= 3.5 v, i
Dset
= 50 毫安, f = 900 mhz, p
在
= 0 dbm
G
L
= 12.0 db 典型值 @ v
DS
= 3.5 v, i
Dset
= 50 毫安, f = 1.9 ghz, p
在
= 0 dbm
G
L
= 12.0 db 典型值 @ v
DS
= 5.0 v, i
Dset
= 50 毫安, f = 1.9 ghz, p
在
= 0 dbm
• 高 电源 增加 效率 : 60 % 典型值 @ v
DS
= 3.5 v, i
Dset
= 50 毫安, f = 900 mhz, p
在
= +13 dbm
60 % 典型值 @ v
DS
= 3.5 v, i
Dset
= 50 毫安, f = 1.9 ghz, p
在
= +15 dbm
58 % 典型值 @ v
DS
= 5.0 v, i
Dset
= 50 毫安, f = 1.9 ghz, p
在
= +15 dbm
订货 信息
部分 号码 包装 供应 表格
ne651r479a-t1 79A • 12 mm 宽 压印浮凸 taping
• qty 1 kpcs/卷轴
Remark
至 顺序 evaluation 样本, 咨询 your nec 销售 代表
(部分 号码 为 样本 顺序: ne651r479a).
提醒 请 handle 这个 设备 在 静态的-自由 workstation, 因为 这个 是 一个 静电的
敏感的 设备.
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