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资料编号:514327
 
资料名称:NE651R479A
 
文件大小: 69.19K
   
说明
 
介绍:
0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 p13670ej2v0ds00
2
NE651R479A
绝对 最大 比率 (t
一个
= +25
°
°°
°
c)
运作 在 excess 的 任何 一个 的 这些 参数 将 结果 在 永久的 损坏.
参数 标识 比率 单位
流 至 源 电压 V
DS
8V
门 至 源 电压 V
GSO
4V
流 电流 I
D
1.0 一个
门 向前 电流 I
GF
10 毫安
门 反转 电流 I
GR
10 毫安
总的 电源 消耗 P
tot
2.5 W
频道 温度 T
ch
150
°
C
存储 温度 T
stg
65 至 +150
°
C
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 至 源 电压 V
DS
3.5 5.5 V
增益 压缩 Gcomp
−−
5.0
便条
dB
频道 温度 T
ch
−−
+110
°
C
便条
推荐 最大 增益 压缩 是 3.0 db 在 v
DS
>
4.2 v
电的 特性
(t
一个
= +25
°
c, 除非 否则 指定, 使用 nec 标准 测试 fixture.)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
saturated 流 电流 I
DSS
V
DS
= 2.5 v, v
GS
= 0 v
0.7
一个
pinch-止 电压 V
p
V
DS
= 2.5 v, i
D
= 14 毫安
2.0
−−
0.4 V
门 至 流 破裂 向下 电压 BV
gd
I
gd
= 14 毫安 12
−−
V
热的 阻抗 R
th
频道 至 情况
30 50
°
c/w
输出 电源 P
输出
f = 1.9 ghz, v
DS
= 3.5 v, 26.0 27.0
dBm
流 电流 I
D
P
= +15 dbm, r
g
= 1 k
,
220
毫安
电源 增加 效率
η
增加
I
Dset
= 50 毫安 (rf 止) 52 60
%
直线的 增益
便条 1
G
L
便条 2
12.0
dB
注释 1.
P
= 0 dbm
2.
直流 效能 是 100 % 测试. rf 效能 是 测试 一些 样本 每 薄脆饼.
薄脆饼 拒绝 criteria 为 标准 设备 是 1 reject 为 一些 样本.
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