NE651R479A_集成电路资料查询网

数据 薄板  p13670ej2v0ds00
5
NE651R479A
应用  电路  例子
f = 1.9 ghz (单位: mm)
R
g
1 000 p
V
GS
V
DS
输入
输出
C1
2
6
3
543
12
3
50
Ω
线条
C2
3
52 2 2 8 1
2
7
5
6
tantalum condenser
47   f
µ
tantalum condenser
100   f
µ
/4 打开 stub
λ
/4 线条
λ
/4 打开 stub
λ
地
f = 1.9 gh
Z
V
DS
= 3.5 v
I
Dset
= 50 毫安 (rf 止)
基质: teflon glass (  r = 2.6)
t = 0.8 mm
ε
c1 = 30 pf R
g
= 1 k
Ω
c2 = 30 pf
应用  电路  例子
f = 900 mhz (单位: mm)
地
f = 900 mh
Z
V
DS
= 3.5 v
I
Dset
= 50 毫安 (rf 止)
基质: teflon glass (  r = 2.6)
t = 0.8 mm
ε
c1 = 30 pf c5 = 3 pf r1 = 5.1
Ω
c2 = 30 pf c6 = 6 pf r2 = 30
Ω
c3 = 1 000 pf c7 = 1 pf R
g
= 1 k
Ω
c4 = 6 pf
输入
输出
C1
92
50
Ω
线条
5
3
2
2
C5
R2
C3
9
C2
C7
4
4
3
10 13 5 9 42
3
4
C4
3
R1
4
3C6
5
R
g
1 000 p
V
GS
V
DS
tantalum condenser
47   f
µ
tantalum condenser
100   f
µ
/4 打开 stub
λ
/4 线条
λ
/4 打开 stub
λ

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数据薄板 p13670ej2v0ds00 5 NE651R479A 应用电路例子 f = 1.9 ghz (单位: mm) R g 1 000 p V GS V DS 输入输出 C1 2 6 3 543 12 3 50 Ω 线条 C2 3 52 2 2 8 1 2 7 5 6 tantalum condenser 47 f µ tantalum condenser 100 f µ /4 打开 stub λ /4 线条 λ /4 打开 stub λ 地 f = 1.9 gh Z V DS = 3.5 v I Dset = 50 毫安 (rf 止) 基质: teflon glass ( r = 2.6) t = 0.8 mm ε c1 = 30 pf R g = 1 k Ω c2 = 30 pf 应用电路例子 f = 900 mhz (单位: mm) 地 f = 900 mh Z V DS = 3.5 v I Dset = 50 毫安 (rf 止) 基质: teflon glass ( r = 2.6) t = 0.8 mm ε c1 = 30 pf c5 = 3 pf r1 = 5.1 Ω c2 = 30 pf c6 = 6 pf r2 = 30 Ω c3 = 1 000 pf c7 = 1 pf R g = 1 k Ω c4 = 6 pf 输入输出 C1 92 50 Ω 线条 5 3 2 2 C5 R2 C3 9 C2 C7 4 4 3 10 13 5 9 42 3 4 C4 3 R1 4 3C6 5 R g 1 000 p V GS V DS tantalum condenser 47 f µ tantalum condenser 100 f µ /4 打开 stub λ /4 线条 λ /4 打开 stub λ

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