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资料编号:514536
 
资料名称:NE8500295-4
 
文件大小: 48.93K
   
说明
 
介绍:
2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ne85002 序列
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碎片 处理
消逝 attachment
消逝 连结 能 是 accomplished 和 一个 au-sn (300
±
10 ˚c) 执行 在 一个 forming gas 环境. 环氧的 消逝
门 和 流 使牢固结合 线 应当 是 最小 长度, semi-hard 金 线 (3 - 8 % elongation) 30 microns 或者
较少 在 直径.
消逝 连结 和 使牢固结合 时间 应当 是 保持 至 一个 最小. 作 一个 一般 rule, 这 使牢固结合 运作 应当 是
保持 在里面 一个 280 ˚c _ 5 分钟 曲线. 如果 变长 时期 是 必需的, 这 温度 应当 是 lowered.
预防措施
这 碎片 频道 是 glassivated 为 机械的 保护 仅有的 和 做 不 preclude 这 necessity 的 一个 clean
环境.
这 使牢固结合 设备 应当 是 periodically 审查 为 来源 的 surge 电压 和 应当 是 合适的
grounded 在 所有 时间. 在 事实, 所有 测试 和 处理 设备 应当 是 grounded 至 降低 这 possibilities 的 静态的
释放.
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