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资料编号:514538
 
资料名称:NE8500295-8
 
文件大小: 48.93K
   
说明
 
介绍:
2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ne85002 序列
2
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25 ˚c)
流 至 源 电压 V
DSX
15 V
门 至 源 电压 V
GSX
–12 V
门 至 流 电压 V
GDX
–18 V
门 电流 I
G
13 毫安
频道 温度 T
ch
175 ˚C
存储 温度 T
stg
= 25 ˚c
recommending 运作 randge
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
流 至 源 电压 V
DS
9–10V
频道 温度 T
ch
130 ˚C
输入 电源 Gcomp 3 dBcomp
门 阻抗 Rg 2 k
电的 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
saturated 流 电流 Idss 950 1900 毫安 vds = 2.5 v, vgs = 0 v
pinch-止 电压 V
P
–3.0 –1.0 V vds = 2.5 v, ids = 8 毫安
跨导 gm 600 mS vds = 2.5 v, ids = idss
热的 阻抗 R
th
10 15 ˚c/w
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